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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2013-0026150 (2013-03-12) | |
공개번호 | 10-2014-0112629 (2014-09-24) | |
등록번호 | 10-1450437-0000 (2014-10-06) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020130026150 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2013-03-12) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명의 실시예에 따른 LDMOS 소자는, 드리프트 영역, 상기 드리프트 영역 내에 일정간격 이격되어 배치된 소스 영역 및 드레인 영역, 상기 소스 영역 및 드레인 영역 사이의 상기 드리프트 영역 내에 형성되는 필드 절연막, 상기 필드 절연막 하단에 형성된 제1 P-TOP 영역, 상기 필드 절연막의 일부를 덮는 게이트 폴리실리콘, 상기 게이트 폴리실리콘 상부에 형성되는 게이트 전극 및 상기 게이트 전극, 게이트 폴리실리콘 및 필드 절연막을 관통하는 컨택 라인을 포함한다.
드리프트 영역;상기 드리프트 영역 내에 일정간격 이격되어 배치된 소스 영역 및 드레인 영역;상기 소스 영역 및 드레인 영역 사이의 상기 드리프트 영역 내에 형성되는 필드 절연막;상기 필드 절연막 하단에 형성되며, 더블 리서프(double resurf) 구조로 형성되는 제1 P-TOP 영역;상기 필드 절연막의 일부를 덮는 게이트 폴리실리콘;상기 게이트 폴리실리콘 상부에 형성되는 게이트 전극; 및상기 게이트 전극, 게이트 폴리실리콘 및 필드 절연막을 관통하는 컨택 라인;을 포함하고,상기 컨택 라인은 상기 제1 P-TOP 영역에 연결되어
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