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수소 열처리를 이용한 고신뢰성 트렌치 게이트 MOSFET
Highly Reliable Trench Gate MOSFET using Hydrogen Annealing 원문보기

韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, v.11 no.4, 2002년, pp.212 - 217  

김상기 (한국전자통신연구원, 집적회로연구부 다기능소자팀) ,  노태문 (한국전자통신연구원, 집적회로연구부 다기능소자팀) ,  박일용 (한국전자통신연구원, 집적회로연구부 다기능소자팀) ,  이대우 (한국전자통신연구원, 집적회로연구부 다기능소자팀) ,  양일석 (한국전자통신연구원, 집적회로연구부 다기능소자팀) ,  구진근 (한국전자통신연구원, 집적회로연구부 다기능소자팀) ,  김종대 (한국전자통신연구원, 집적회로연구부 다기능소자팀)

초록
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고신뢰성 트렌치 게이트 MOSFET을 제작하기 위해 트렌치 코너를 pull-back 공정과 수소 열처리 공정을 이용하여 트렌치 코너를 둥글게 만드는 기술을 개발하였고 이를 이용하여 균일한 트렌치 게이트 산화막을 성장시킬수 있었다. 그 결과 수소 열처리 하기 전에 항복전압이 29 V인 것이 수소 열처리한 후 약 36 V로 증가하여 항복 전압에서 약 25% 향상되었다. 그리고 트렌치 게이트를 이용한 MOSFET에서 트렌치 셀이 약 45,000개 일때 게이트와 소스에 10 V를 인가했을 때, 드레인 전류는 약 45.3 A를 얻었고, 게이트 전압의 10 V, 전류를 5 A를 인가한 상태에서 On-저항은 약 55 m$\Omega$ 얻었다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

A new technique for highly controllable trench corner rounding at the top and bottom of the trench using pull-back and hydrogen annealing has been developed and investigated. The pull-back process could control the trench corner rounding radius at the top comers of the trench. The silicon migration ...

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