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PECVD법에 의해 증착된 SiO2 후막의 광학적 성질 및 구조적 분석
Optical Properties and Structural Analysis of SiO2 Thick Films Deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 원문보기

한국세라믹학회지 = Journal of the Korean Ceramic Society, v.39 no.5 = no.240, 2002년, pp.479 - 483  

조성민 (성균관대학교 신소재공학과) ,  김용탁 (성균관대학교 신소재공학과) ,  서용곤 (전자부품연구원 광부품연구센터) ,  윤형도 (전자부품연구원 광부품연구센터) ,  임영민 (전자부품연구원 광부품연구센터) ,  윤대호 (성균관대학교 신소재공학과)

초록
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저온($320^{\circ}$C)에서 $SiH_4$$N_2O$ 가스의 혼합을 통해 플라즈마화학기상증착(PECVD)법을 이용하여 실리카 광도파로의 클래딩막으로 사용되는 $SiO_2$ 후막을 제조하였으며, 공정변수로는 $N_2O/SiH_4$ 유량비와 RF power에 변화를 주었다. 증착된 시편은 $N_2$ 분위기의 열처리로에서 $1050{\circ}$에서 2시간동안 열처리하였다. $N_2O/SiH_4$ 유량비가 증가함에 따라 증착속도는 $9.4~2.9{\mu}m /h$까지 감소하였으며, RF power가 증가함에 따라 증착속도는 $4.7~6.9{\mu}m /h$까지 증가하였다. 두께 및 굴절률은 Prism Coupler를 이용하여 분석하였다. 화학적 성질 및 구조적 성질은 X-ray Photoelectron Spectroscopy(XPS)와 Fourier Transform-Infrared Spectroscopy(FT-IR)를 이용하여 분석하였으며, Scanning Electron Microscopy(SEM)를 이용하여 시편의 단면을 관찰하였다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Silicon dioxide thick film using silica optical waveguide cladding was fabricated by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition(PECVD) method, at a low temperature ($320^{\circ}$C) and from $(SiH_4+N_2O)$ gas mixtures. The effects of deposition parameters on properties of $...

주제어

참고문헌 (12)

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