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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.17 no.1, 2004년, pp.27 - 30
성만영 (고려대학교 전기공학과) , 김대종 (고려대학교 전기공학과) , 강이구 (극동대학교 전자공학과)
In this paper, a new small size Lateral Trench Electrode Power MOSFET is proposed. This new structure, called "LTEMOSFET"(Lateral Trench Electrode Power MOSFET), is based on the conventional MOSFET. The entire electrode of LTEMOSFET is placed in trench oxide. The forward blocking voltage of the prop...
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