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SOI MOSFET의 모든 동작영역을 통합한 해석적 표면전위 모델
A Unified Analytical Surface Potential Model for SOI MOSFETs 원문보기

電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체, v.41 no.2 = no.320, 2004년, pp.9 - 15  

유윤섭 (한경대학교 정보제어공학과)

초록
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본 논문에서는 부분공핍(partially-depleted : PD) 영역과 완전공핍(fully-depleted : FD) 영역을 나누는 임계 전면 게이트 전압 V/sub c/의 해석적 표현을 이용해서 PD 영역과 FD 영역의 천이를 정확히 설명하는 해석적 표면전위 모델(analytical surface potential model)을 소개한다. 이 모델은 모든 동작영역(subthreshold에서 strong inversion까지)에서 유효하고 반복 계산 절차 (iteration procedure)인 수치 해석적 방법보다 훨씬 짧은 계산시간이 걸린다. 이 모델에 기초한 charge sheet 모델이 모는 동작영역에 유효한 드레인 전류의 단일 공식을 유도하는데 사용된다. 대부분의 secondary 효과들이 charge sheet 모델에 쉽게 포함되고 그 모델의 결과들은 수치해석 결과와 실험 결과를 비교적 정확히 일치한다. 세 가지의 smoothing 함수가 사용될지 라도 표면전위 미분 값은 연속이다 더욱 중요한 점은 smoothing 함수에 사용된 파라미터들은 공정 파라미터들에 크게 의존하지 않는다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

We present a new unified analytical front surface potential model, which can accurately describe the transitions between the partially-depleted (PD) and the fully-depleted (FD) regimes with an analytical expression for the critical voltage V$_{c}$ delineating the PD and the FD region. It ...

주제어

#Surface potential   #Partially-depleted   #Fully-depleted   #Charge sheet model   #Smoothing function  

참고문헌 (14)

  1. J.-P. Colinge, Silicon-on-Insulator Technology : Materials to VLSI, Norwood, MA : Kluwer, 1997 

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  6. We neglect the term (xs+xd)/Leff 

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  14. T. C. Hsiao, N. A. Kistler, J. C. S. Woo, 'Modeling the I-V characteristics of fully depleted submicronmeter SOI MOSFET's', IEEE Electron Devices Letter, Vol. 15, pp. 45-47, 1994 

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