$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

Ion-cut에 의한 SOI웨이퍼 제조에서의 양성자조사기구
Proton implantation mechanism involved in the fabrication of SOI wafer by ion-cut process 원문보기

韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, v.13 no.1, 2004년, pp.1 - 8  

우형주 (한국지질자원연구원, 입자빔응용팀) ,  최한우 (한국지질자원연구원, 입자빔응용팀) ,  김준곤 (한국지질자원연구원, 입자빔응용팀) ,  지영용 (한국지질자원연구원, 입자빔응용팀)

초록
AI-Helper 아이콘AI-Helper

양성자 주입과 웨이퍼접합기술을 접목한 ion-cut기술로서 SOI 웨이퍼를 제조하는 기술을 개발하고자 하였다. TRIM 전산모사결과 표준 SOI 웨이퍼 (200 nm SOI, 400 nm BOX) 제조를 위해서는 65 keV의 양성자주입이 요구됨을 알 수 있었다. 웨이퍼분리를 위한 최적 공정조건을 얻기 위해 조사선량과 열처리조건(온도 및 시간)에 따른 표면변화를 조사하였다. 실험결과 유효선량범위는 6∼$9\times10^{16}$ $H^{+}/\textrm{cm}^2$이며, 최적 아닐링조건은 $550^{\circ}C$에서 30분 정도로 나타났다. 주입된 수소의 깊이분포는 ERD(Elastic Recoil Detection)와 SIMS(Secondary Ion Mass Spectrometry)측정에 의해 실험적으로 확인되었다. 아울러 상해층의 미세구조 형성기구를 X-TEM측정을 통해 조사하였다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

The SOI wafer fabrication technique has been developed by using ion-cut process, based on proton implantation and wafer bonding techniques. It has been shown by TRIM simulation that 65 keV proton implantation is required for the standard SOI wafer (200 nm SOI, 400 nm BOX) fabrication. In order to in...

주제어

#이온절단   #양성자주입  

참고문헌 (19)

  1. S. Cristoloveanu, Solid State Electronics 45, 1403(2001) 

    상세보기 crossref

  2. A. Ploessel and G. Krauter, Solid-State Electronics 44, 775 (2000) 

    상세보기 crossref

  3. Next generation Semiconductor Wafer, SOl wafer and its manufacturing method invented by Canon, Eltran, http://www.canon.com/technology/production /index.com 

  4. A. Ploessel and G. Krauter, Wafer direct bonding: tailoring adhesion between brittle materials, Materials Science & Engineering, R25, 1 (1999) 

  5. Q.-Y. Tong and U. Goesele, Semiconductor Wafer Bonding-Science & Technology, (John Wiley & Sons, New York, 1999), pp. 1-15 

  6. S. S. Iyer and A. J. Auberton-Herve, Silicon Wqfer Bonding Technology for VLSI and MEMS Applications, The Institution of Electrical Engineers, 2002 

  7. J. Haisma and G.A.C.M. Spierings, Mat. Sci. Eng. R269, 1 (2002) 

  8. A. Berthold, B. Jakoby and M.J. Vellekoop, Sensors and Actuators A 68, 410 (1998) 

  9. M. Brnel, Nucl. Instr. Meth. 108, 313 (1996) 

    상세보기 crossref

  10. B. Aspar, M. Brnel, H. Moriceau, C. Maleville, T. Poumeyrol, A.M. Papon, A. Claverie, and G. Benassayag, Microelectronic Engineering 36, 233 (1997) 

    상세보기 crossref

  11. C. Maleville, B. Aspar, T. Poumeyrol, H. Moriceau, M. Brnel, A. J. Auberton-Herve, and T. Barge, Mat. Sci. & Eng. B 46, 14 (1997) 

    상세보기 crossref

  12. J. D. Hunn, S. P. Withrow, C. W. White, R. E. Clausing, L. Heatherly, C. P. Christian, and N. R. Parikh, Nuc1. Instr. Meth. B 99, 602 (1995) 

    상세보기 crossref

  13. T. W. Simpson, I.V. Mitchell, G. O. Este, and F. R. Shepherd, Nucl. Instr. Meth. B 148, 381 (1999) 

    상세보기 crossref

  14. C. H. Yun and N. W. Cheung, J. Microelectro- mechanical Systems 9, 474 (2000) 

  15. G.D. Arrigo, S. Coffa, and C. Spinella, Sensors and Actuators A 3278, 1 (2002) 

  16. S. Romani and J. H. Evans, Nucl. Instr. Meth. B 44, 313 (1990). 

    상세보기 crossref

  17. H. Iwata, M. Takagi, Y. Tokuda, and T. Imura, J. Crystal Growth 210, 94 (2000) 

    상세보기 crossref

  18. C.G. Van de Walle, Phy. Rev. B 40, 4579 (1994) 

  19. J. Wang, Q. Xiao, H. Yu, B. Shao, and A. Liu, Microelectronic Eng. 66, 314 (2003) 

    상세보기 crossref

저자의 다른 논문 :

관련 콘텐츠

저작권 관리 안내
섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로