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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국과학기술원 Korea Advanced Institute of Science and Technology |
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연구책임자 | 김충기 |
참여연구자 | 송호준 , 윤병진 , 박성계 , 이호준 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1992-07 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학기술원 Korea Advanced Institute of Science and Technology |
등록번호 | TRKO200200005992 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 재결정화.온도분포.파워분포.기판용융.문턱전압.SOI 기준전압회로.SOI 표준공정.SOI.ZMR.Temperature Distribution.Power Distribution.Substrate Melting.SOI Threshold Voltage.SOI Voltage Reference Circuit.SOI Standard CMOS Process. |
텅스텐 할로겐 램프를 열원으로 하여 ZMR 방법으로 SOI 구조를 형성할 때에 양질의 결정화된 박막을 얻기 위하여 바람직한 온도 분포를 설정하고, 이러한 온도 분포를 얻기 위한 상부 및 하부 램프로부터의 파위 분포를 계산하는 방법을 제안하였고, 실제 온도분포와 잘 일치함을 알 수 있었다. 또한, Sandblast를 하지 않고도 웨이퍼의 뒷면이 국부적으로 용융되는 현상을 해결할 수 있는 방법을 제시하였으며 웨이퍼 전체의 온도 균일도를 향상시켜 3인치 웨이퍼 전면을 재결정화할 수 있었다. 긴 채널 얇은 SOI NMOSFET 소자의 문턱
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