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Strained Si/Relaxed SiGe/SiO2/Si 구조 FD n-MOSFET의 전자이동에 Ge mole fraction과 strained Si 층 두께가 미치는 영향
Effect of Ge mole fraction and Strained Si Thickness on Electron Mobility of FD n-MOSFET Fabricated on Strained Si/Relaxed SiGe/SiO2/Si 원문보기

電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체, v.41 no.10 = no.328, 2004년, pp.1 - 7  

백승혁 (한양대학교 전자통신전파공학과) ,  심태헌 (한양대학교 전자통신전파공학과) ,  문준석 (한양대학교 전자통신전파공학과) ,  차원준 (한양대학교 전자통신전파공학과) ,  박재근 (한양대학교 전자통신전파공학과)

초록
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SOI 구조에서 형성된 MOS 트랜지스터의 장점과 strained Si에서 전자의 이동도가 향상되는 효과를 동시에 고려하기 위해 buried oxide(BOX)층과 Top Si층 사이에 Ge을 삽입하여 strained Si/relaxed SiGe/SiO₂Si 구조를 형성하고 strained Si fully depletion(FD) n-MOSFET를 제작하였다. 상부 strained Si층과 하부 SiGe층의 두께의 합을 12.8nm로 고정하고 상부 strained Si 층의 두께에 변화를 주어 두께의 변화가 electron mobility에 미치는 영향을 분석하였다. Strained Si/relaxed SiGe/SiO2/Si (strained Si/SGOI) 구조위의 FD n-MOSFET의 전자 이동도는 Si/SiO₂/Si (SOI) 구조위의 FD n-MOSFET 에 비해 30-80% 항상되었다. 상부 strained Si 층과 하부 SiGe 층의 두께의 합을 12.8nm 로 고정한 shrined Si/SGOI 구조 FD n-MOSFET에서 상부층 strained Si층의 두께가 감소하면 하부층 SiGe 층 두께 증가로 인한 Ge mole fraction이 증가함에 의해 inter-valley scattering 이 감소함에도 불구하고 n-channel 층의 전자이동도가 감소하였다. 이는 strained Si층의 두께가 감소할수록 2-fold valley에 있는 전자가 n-channel 층에 더욱더 confinement 되어 intra-valley phonon scattering 이 증가하여 전자 이동도가 감소함이 이론적으로 확인되었다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

In order to enhance the electron mobility in SOI n-MOSFET, we fabricated fully depletion(FD) n-MOSFET on the strained Si/relaxed SiGa/SiO$_2$/Si structure(strained Si/SGOI) formed by inserting SiGe layer between a buried oxide(BOX) layer and a top silicon layer. The summated thickness of ...

주제어

#strained-Si   #SiGe   #SiGe-on-Insulator   #SGOI   #mobility  

참고문헌 (11)

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