$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

Ion-cut에 의한 SOI웨이퍼 제조 및 특성조사
SOI wafer formation by ion-cut process and its characterization 원문보기

韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, v.14 no.2, 2005년, pp.91 - 96  

우형주 (한국지질자원연구원 이온빔응용그룹) ,  최한우 (한국지질자원연구원 이온빔응용그룹) ,  배영호 (위덕대 정보통신공학부) ,  최우범 (BNP 사이언스)

초록
AI-Helper 아이콘AI-Helper

양성자 주입과 웨이퍼접합기술을 접목한 ion-cut기술로서 SOI 웨이퍼를 제조하는 기술을 개발하였다. SRIM 전산모사에 의하면 일반 SOI 웨이퍼 (200nm SOI, 400nm BOX) 제조에는 65keV의 양성자주입이 요구된다. 웨이퍼분리를 위한 최적 공정조건을 얻기 위해 조사선량과 열처리조건(온도 및 시간)에 따른 blistering 및 flaking 등의 표면변화를 조사하였다. 실험결과 유효선량범위는 $6\~9times10^{16}H^+/cm^2$이며, 최적 아닐링조건은 $550^{\circ}C$에서 30분 정도로 나타났다. RCA 세정법으로서 친수성표면을 형성하여 웨이퍼 직접접합을 수행하였으며, IR 조사에 의해 무결함접합을 확인하였다 웨이퍼 분리는 예비실험에서 정해진 최적조건에서 이루어졌으며, SOI층의 안정화를 위해 고온열처리($1,100^{\circ}C,\;60$분)를 시행하였다. TEM 측정상 SOI 구조결함은 발견되지 않았으며, BOX(buried oxide)층 상부계면상의 포획전하밀도는 열산화막 계면의 낮은 밀도를 유지함을 확인하였다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

The silicon-on-insulator (SOI) wafer fabrication technique has been developed by using ion-cut process, based on proton implantation and wafer bonding techniques. It has been shown by SRIM simulation that 65keV proton implantation is required for a SOI wafer (200nm SOI, 400nm BOX) fabrication. In or...

주제어

#SOI 웨이퍼   #이온절단   #양성자주입   #웨이퍼 직접접합  

참고문헌 (18)

  1. S. Cristoloveanu, Solid State Electronics 45, 1403 (2001) 

    상세보기 crossref

  2. A. Ploessel and G. Krauter, Solid-State Electronics 44, 775 (2000) 

    상세보기 crossref

  3. Sorin Cristoloveanu, J. Korean Phy. Soc. 39, 52 (2001) 

  4. A. Ploessel and G. Krauter, Materials Science & Engineering R 25, 1 (1999) 

    상세보기 crossref

  5. Q.- Y. Tong and U. Goesele, Semiconductor Wafer Bonding-Science & Technology (John Wiley & Sons, New York, 1999), pp. 1-15 

  6. S. S. Iyer and A. J. Auberton-Herve, Silicon Wafer Bonding Technology for VLSI and MEMS Applications (INSPEC, IEE, London, 2002) 

  7. J. Haisma and G.A.C.M. Spierings, Mat. Sci. Eng. R 269, 1 (2002) 

  8. A Berthold, B. Jakoby, and M. J. Vellekoop, Sensors and Actuators A 68, 410 (1998) 

    상세보기 crossref

  9. Michel Bruel, Nucl. Instr. Meth. 108, 313 (1996) 

    상세보기 crossref

  10. B. Aspar, M. Bruel, H. Moriceau, C. Maleville, T. Poumeyrol, A.M. Papon, A. Claverie, and G. Benassayag, Microelectronic Engineering 36, 233 (1997) 

    상세보기 crossref

  11. C. Maleville, B. Aspar, T. Poumeyrol, H. Moriceau, M. Bruel, A. J. Auberton-Herve, and T. Barge, Mat. Sci. & Eng. B 46, 14 (1997) 

    상세보기 crossref

  12. J. D. Hunn, S. P. Withrow, C. W. White, R. E. Clausing, L. Heatherly, C. P. Christian, and N. R. Parikh, Nucl. Instr. Meth. B 99, 602 (1995) 

    상세보기 crossref

  13. T. W. Simpson, I. V. Mitchell, G. O. Este, and F. R. Shepherd, Nucl. Instr. Meth. B 148, 381 (1999) 

    상세보기 crossref

  14. C. H. Yun and N. W. Cheung, J. Microelectro-mechanical Systems 9, 474 (2000) 

    상세보기 crossref

  15. G. D. Arrigo, S. Coffa, and C. Spinella, Sensors and Actuators A 3278, 1 (2002) 

  16. 우형주, 최한우, 김준곤, 지영용, 한국진공학회지 13, 1 (2004) 

    원문보기 상세보기

  17. Ionut Radu, Layer transfer of semiconductors and complex oxides by helium and/or hydrogen implantation and wafer bonding, PhD thesis, Martin-Luther University Halle- Wittenberg (2003) 

  18. W. Kern, Handbook of Semiconductor Wafer Cleaning Technology (Noyes Publications, New Jersey, 1993), p. 49 

저자의 다른 논문 :

관련 콘텐츠

저작권 관리 안내
섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로