$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

BTS 방법을 사용한 Low-K 유전체 물질들과 산화막의 Cu 드리프트 확산에 대한 비교 연구
A Comparative Study on Cu Drift Diffusion of Low-k Dielectrics and Thermal Oxide by use of BTS Technique 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.20 no.2, 2007년, pp.106 - 112  

추순남 (경원전문대학 전기제어시스템과) ,  권정열 (경원전문대학 전기제어시스템과) ,  김장원 (경원전문대학 정보통신과) ,  박정철 (경원전문대학 전자정보과) ,  이헌용 (명지대학교 전기공학과)

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

Advanced back-end processing requires the integration of low-k dielectrics and Cu. However, in the presence of an electric field and a temperature, positive Cu ions may drift rapidly through dielectric and causing reliability problems. Therefore, in this paper, Cu+ drift diffusion in two low-k mater...

주제어

#Drift diffusion   #Cu gate capacitors   #Polyimide   # $SiO_{x}C_{y}$   #Low-k materials  

AI 본문요약
AI-Helper 아이콘 AI-Helper

* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.

문제 정의

  • 본 연구에서는 Cu와 SiOxCy( 폴리이 미드 (polyimide)를 이용한 MIS 커패시터를 제작하여구리배선 시 나타나는 후속공정 적용의 문제점인 Cu+ 드리프트 확산(diift diffusion)에 고찰하기 위하여 BTS(bias thermal stressing)# 측정하여 SiO2를 절 연 막으로 가지는 MIS (Metal Insulator Semiconductor) 커패시터와 비교 연구하였다

가설 설정

  • 그림 1에서는 열처리 시간과 온도가증가할수록 축적시간이 길어졌고, △Vf의 변화가 크게 나타났다. 이러한 결과는 Cu+ 이온이 시간과온도에 비례하게 절연막으로 드리프트 되고, 드리프트 된 Cu* 이온들은 트랩층(trap layer)을 형성하여 게이트에 양(+) 전압 인가 시 전자의 이동방해 및 결합하여 축적시간이 길어지는 결과를 가.져오게 된다.
  • 그림 2에서 나타나는 바와 같이 BTS온도와 시간의 변화에 따른 △ Vf의 변화는 BTS 온도와 시간에 비례하게 증가하는 결과가 나타났다. 후속공정의 공정온도가 200 ℃ ~ 450 ℃임을 감안한다면 반도체 산업체에서생산되는 확산방지막이 없는 구리 게이트를 가진소자의 z\Vf는 더욱 커질 것이다.
본문요약 정보가 도움이 되었나요?

참고문헌 (7)

  1. T. Homma, 'Materials Science and Engineering', R23 p. 243, 1998 

  2. 나성일, 허원녕, 부성은, 이정희, 'ALD법을 이용해 증착된 TaN 박막의 Cu 확산방지특성', 한국센서학회, 13권, 3호, p. 195, 2004 

  3. A. L. S. Loke, J. T. Wetzel, J. J. Stankus, M. S. Angyal, B. K. Mowry, and S. S. Wong, 'Electrical leakage at low-k polyimide/TEOS interlace', IEEE Elecctron Device Lett, Vol. 19, No.6, p. 177, 1999 

  4. A. L. S. Loke, C. Ryu, P. Vue, J. S. H. Cho, and S. S. Wong, 'Kinetics of copper drift in PECVD dielectrics', IEEE Electron Device Lett., Vol. 17, No. 22, p. 549, 1996 

    상세보기 crossref

  5. M. Vogt and K. Drescher, 'Barrier behaviour of plasma deposited silicon oxide and nitride against Cu diffusion', Appl. Surf. Sci., Vol. 91, p. 303, 1995 

    상세보기 crossref

  6. J.-H. Ahn, K.-T. Lee, B.-J. OH, Y.-J. Lee, S.-H. Liu, M.-K. Jung, Y.-w. Kim, and K.-P. Suh, 'Integration of a low-k ${\alpha}$ -SiOC:H dielectric with Cu interconnects', Journal of the Korean Physical Society, Vol. 41, No.4, p. 422, 2002 

    상세보기

  7. S.-D. Kim, H.-M. Park, and S.-B. Kim, 'Low dielectric constant spin-an-glass passivation for high-speed complem entary metaloxide-silicon devices', Journal of the Korean Physical Society, Vol. 43, No.3, p. 386, 2003 

    상세보기

저자의 다른 논문 :

관련 콘텐츠

오픈액세스(OA) 유형

BRONZE

출판사/학술단체 등이 한시적으로 특별한 프로모션 또는 일정기간 경과 후 접근을 허용하여, 출판사/학술단체 등의 사이트에서 이용 가능한 논문

저작권 관리 안내
섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로