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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.23 no.7, 2010년, pp.513 - 516
안정준 (광운대학교 전자재료공학과) , 방욱 (한국전기연구원 에너지반도체연구센터) , 김상철 (한국전기연구원 에너지반도체연구센터) , 김남균 (한국전기연구원 에너지반도체연구센터) , 정홍배 (광운대학교 전자재료공학과) , 구상모 (광운대학교 전자재료공학과)
In this work, a study is presented of the static characteristics of 4H-SiC DMOSFETs obtained by adjustment of the p-base region. The structure of this MOSFET was designed by the use of a device simulator (ATLAS, Silvaco.). The static characteristics of SiC DMOSFETs such as the blocking voltages, thr...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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4H-SiC의 특징은? | 높은 항복 전압을 갖는 다양한 형태의 탄화규소 (SiC) 기반 전력 MOSFETs 의 연구가 이루어지고 있는 가운데, 4H-SiC 를 기반으로 한 소자에 대한 관심이 증대되고 있다. 4H-SiC 는 높은 임계 전계(~2 MV/cm), 넓은 밴드갭(~3.2 eV), 그리고 벌크영역에 대한 높은 전자 이동도(~800 cm2/Vs)를 가지므로 고 전력 MOSFETs 에 적합하다. 전력 MOSFETs 의 동작은 채널의 이동도와 밀접한 관계가 있으며, 이에 따라 최적화된 MOSFET 구조를 설계하고, 소자의 정적 특성과 온 저항 및 채널 길이를 줄이기 위한 다양한 연구가 진행되어 오고 있다. | |
4H-SiC DMOSFET 소자를 설계하여 시뮬레이션을 통해 정적 특성을 확인한 결과, P형 우물 영역의 도핑 농도와 도핑 면적에 따라 무엇이 변하였는가? | 본 연구에서는 4H-SiC DMOSFET 소자를 설계하여 시뮬레이션을 통해 정적 특성을 확인하였다. P형 우물 영역의 도핑 농도와 도핑 면적 변화에 따라 소자의 VB 값이 큰 폭으로 증가하여, FOM 이 증가하는 것을 알 수 있었다. VTH 의 경우, p형 우물 영역의 도핑 면적 변화에는 값이 변하지 않지만, 도핑 농도가 증가할 경우, 값이 늘어나는 것을 확인할 수 있었다. | |
전력 MOSFETs의 동작은 어떤 인자와 관계가 있는가? | 2 eV), 그리고 벌크영역에 대한 높은 전자 이동도(~800 cm2/Vs)를 가지므로 고 전력 MOSFETs 에 적합하다. 전력 MOSFETs 의 동작은 채널의 이동도와 밀접한 관계가 있으며, 이에 따라 최적화된 MOSFET 구조를 설계하고, 소자의 정적 특성과 온 저항 및 채널 길이를 줄이기 위한 다양한 연구가 진행되어 오고 있다. |
A. Saha and J. A. Cooper, IEEE Trans. Electron Devices 54, 2786 (2007).
M. Martin, A. Saha, and J. A. Cooper, IEEE Trans. Electron Devices 51, 1721 (2004).
M. Abe, H. Nagasawa, P. Ericsson, H. Stromberg, M.
H. Ye, C. W. Lee, J. Raynolds, P. Haldar, M. J. Hennessy, and E. K. Mueller, Cryogenics 243?251,
ATLAS User’s Manual, Silvaco International, 1-898 (2007).
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