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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.23 no.10, 2010년, pp.767 - 770
안정준 (광운대학교 전자재료공학과) , 문경숙 (경원대학교 수학정보학과) , 구상모 (광운대학교 전자재료공학과)
In this work, we investigated the static characteristics of 4H-SiC vertical metal-oxidesemiconductor field effect transistors (VMOSFETs) by adjusting the doping level of n-epilayer and the effect of a current spreading layer (CSL), which was inserted below the p-base region with highly doped n+ stat...
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