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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.24 no.2, 2011년, pp.89 - 94
함용현 (고려대학교 제어계측공학과) , 권광호 (고려대학교 제어계측공학과) , 이현우 (한서대학교 전자컴퓨터통신학부)
The cause of the thickness non-uniformity in the large area deposition of
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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PECVD를 이용한 박막 증착기술의 장점은? | 특히 PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition)를 이용한 박막의 증착 기술은 낮은 온도에서 박막을 형성할 수 있다는 장점으로 인해 반도체 및 디스플레이 소자의 제조 공정에서 많이 사용되고 있다. 그러나 디스플레이 제조 공정의 대면적 박막 형성에 있어서 박막의 불균일한 증착이 원인이 되어 소자 특성이 불균일하게 되어 생산성이 악화되는 것으로 알려져 있어 균일하게 증착된 박막을 얻기 위한 많은 연구가 이루어지고 있다 [4-8]. | |
플라즈마 진단에 의한 대면적 PECVD SiO2 박막의 불균일 증착의 원인은? | 또한, 기판 중심부에서 가장 자리 쪽으로 멀어질수록 O 라디칼의 밀도가 감소함을 확인하였다. 따라서 SiO2 박막의 불균일 증착은 O 라디칼의 밀도와 전자의 온도의 불균일함이 원인이라고 판단할 수 있다. | |
일반적으로 박막의 불균일 증착은 어떻게 나타나는가? | 일반적으로 박막의 불균일 증착은 장비의 장시간 사용 후에 따른 증착 챔버의 노후화에 따라 더욱 심하게 나타나게 되는 것으로 알려져 있다. 장비가 노후화되면 챔버 변형이 발생하며, 이러한 변형의 요인은 PECVD를 이용한 박막 증착시 박막의 질을 향상시키기 위해서 하부 기판에 열을 가하는 공정이 원인이 되어 발생하게 된다. |
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