$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

[국내논문] 이중게이트 MOSFET에서 채널내 도핑분포에 대한 드레인유기장벽감소 의존성
Dependence of Drain Induced Barrier Lowering for Doping Profile of Channel in Double Gate MOSFET 원문보기

한국해양정보통신학회논문지 = The journal of the Korea Institute of Maritime Information & Communication Sciences, v.15 no.9, 2011년, pp.2000 - 2006  

정학기 (군산대학교)

초록
AI-Helper 아이콘AI-Helper

본 연구에서는 이중게이트(Double Gate; DG) MOSFET의 채널내 도핑분포 형태에 따른 드레인유기장벽감소(drain induced barrier lowering; DIBL) 현상을 분석하였다. DGMOSFET는 기존 MOSFET에서 발생하는 단채널효과를 감소시킬 수 있다는 장점 때문에 많은 연구가 진행 중에 있다. DIBL은 높은 드레인 전압에 의하여 발생하는 에너지밴드의 변화가 문턱전압의 감소로 니타나는 단채널효과이다. 이러한 DIBL을 DGMOSFET의 구조적 파라미터 및 채널 내 도핑분포함수의 변화에 따라 분석하고자 한다. 이를 위하여 가우시안 분포함수를 이용하여 포아송방정식의 해석학적 모델을 유도하였다. 본 논문에서 사용한 해석학적 포아송방정식의 전위분포모델 및 DIBL 모델의 타당성을 입증하기 위하여 수치해석학적 결과값과 비교하였으며 이 모델을 이용하여 DGMOSFET의 DIBL을 분석하였다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this paper, the drain induced barrier lowering(DIBL) for doping distribution in the channel has been analyzed for double gate MOSFET(DGMOSFET). The DGMOSFET is extensively been studing because of adventages to be able to reduce the short channel effects(SCEs) to occur in convensional MOSFET. DIBL...

Keyword

#포아송 방정식   #도핑분포   #이온주입범위   #분포편차   #드레인유기장벽감소  

참고문헌 (9)

  1. S.Namana, S.Baishya and K.Koley," A Subthreshold Surface Potential Modeling of Drain/Source Edge Effect on Double Gate MOS Transistor," 2010 International Conference on Electronics and Information Engineering, vol. 1, pp.87-91, 2010. 

  2. I.Saad, M.A.Riyai, Z.Atfyi F.M.N, A.Maheran A. Hamid and R. Ismail, "Enhanced Performance of Vertical Double Gate MOSFET(VDGM) With Oblique Rotating Implantation(ORI) Method", Proc. of ICSE2010, pp.175-179, 2010. 

  3. A. Sahoo, P.Kumar and S. Mahapatra,"A Computationally Efficient Generalized Poisson Solution for Independent Double-Gate Transistors," IEEE Trans. Electron Devices, vol. 57, no.3, pp.632-636, 2010. 

    상세보기 crossref

  4. H.K.Jung and S.Dimitrijev,"Analysis of Sub- threshold Carrier Transport for Ultimate DGMOSFET," IEEE Trans. Electron Devices, vol. 53, no.4, pp.685-691, 2006. 

    상세보기 crossref

  5. P.K. Tiwari, S. Kumar, S. Mittal, V. Srivastava, U. Pandey and S. Jit, "A 2D Analytical Model of the Channel Potential and Threshold Voltage of Double-Gate(DG) MOSFETs with Vertical Gaussian Doping Profile," IMPACT-2009, pp.52-55, 2009. 

  6. G.Massobrio and P.Antognetti, Semiconduc -tor Device Modeling with SPICE, 2nd ed., McGraw-Hill, New York, pp.205 -206, 1993. 

  7. A.S.Havaldar, G.Katti, N.DasGupta and A.DasGupta, "Subthreshold Current Model of FinFETs Based on Analytical Solution of 3-D Poisson's Equation," IEEE Trans. Electron Devices, vol. 53, no.4, pp.737-741, 2006. 

    상세보기 crossref

  8. G. Zhang, Z. Shao and K. Zhou, "Threshold voltage model for short channel FD-SOI MOSFETs with vertical Gaussian profile," IEEE Tran. Electron Devices, vol. 55, pp.803-809, 2008. 

    상세보기 crossref

  9. 정학기,"비선형도핑분포를 이용한 DGMOSFET의 산화막두께에 대한 문턱전압이하 특성분석," 한국해양정보통신학회 논문지, vol.15, no.7, pp.1537- 1542, 2011. 

    원문보기 상세보기

저자의 다른 논문 :

관련 콘텐츠

오픈액세스(OA) 유형

BRONZE

출판사/학술단체 등이 한시적으로 특별한 프로모션 또는 일정기간 경과 후 접근을 허용하여, 출판사/학술단체 등의 사이트에서 이용 가능한 논문

저작권 관리 안내
섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로