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NTIS 바로가기한국해양정보통신학회논문지 = The journal of the Korea Institute of Maritime Information & Communication Sciences, v.15 no.9, 2011년, pp.2000 - 2006
In this paper, the drain induced barrier lowering(DIBL) for doping distribution in the channel has been analyzed for double gate MOSFET(DGMOSFET). The DGMOSFET is extensively been studing because of adventages to be able to reduce the short channel effects(SCEs) to occur in convensional MOSFET. DIBL...
S.Namana, S.Baishya and K.Koley," A Subthreshold Surface Potential Modeling of Drain/Source Edge Effect on Double Gate MOS Transistor," 2010 International Conference on Electronics and Information Engineering, vol. 1, pp.87-91, 2010.
I.Saad, M.A.Riyai, Z.Atfyi F.M.N, A.Maheran A. Hamid and R. Ismail, "Enhanced Performance of Vertical Double Gate MOSFET(VDGM) With Oblique Rotating Implantation(ORI) Method", Proc. of ICSE2010, pp.175-179, 2010.
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P.K. Tiwari, S. Kumar, S. Mittal, V. Srivastava, U. Pandey and S. Jit, "A 2D Analytical Model of the Channel Potential and Threshold Voltage of Double-Gate(DG) MOSFETs with Vertical Gaussian Doping Profile," IMPACT-2009, pp.52-55, 2009.
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