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[국내논문] 유도 열플라즈마 공정을 이용한 고순도 카본분말 합성
Synthesis of high purity carbon powders using inductively thermal plasma 원문보기

한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology, v.23 no.6, 2013년, pp.309 - 313  

김경인 (한국세라믹기술원 이천분원) ,  한규성 (한국세라믹기술원 이천분원) ,  황광택 (한국세라믹기술원 이천분원) ,  김진호 (한국세라믹기술원 이천분원)

초록
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실리콘카바이드(SiC)는 높은융점과 내마모성 및 열전도 특성으로 산업적으로 널리 활용되고 있다. 특히 고순도 SiC는 고효율 전력 변환용 SiC 반도체 및 LED 공정에 적용되는 미래소재로 각광받고 있다. 본 연구에서는 고순도 SiC를 합성하기 위한 원료인 고순도 카본(C)을 유도 열플라즈마(RF Inductively thermal plasma)를 이용하여 합성하였으며, 출발원료로서 탄화수소계 액상물질인 도데칸이 사용되었다. 유도 열플라즈마 합성된 고순도 카본은 반응관과 필터에서 포집되며, 필터에서 포집된 카본 분말은 반응관에서 포집된 카본 분말보다 작은 입도(10~20 nm)와 낮은 결정성을 갖는 것으로 확인하였다. 반응관과 필터부에서 포집된 카본 분말의 순도는 각각 99.9997 %(5N7)와 99.9993 %(5N3)로 측정되었으며, 카본 분말에서 검출되는 불순물은 열플라즈마 합성장비에서 기인한 것으로 확인되었다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Silicon carbide (SiC) has recently drawn an enormous industrial interest because of its useful mechanical properties such as thermal resistance, abrasion resistance and thermal conductivity at high temperature. Especially, high purity SiC is applicable to the fields of power semiconductor and lighti...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 특히, 유도전류를 이용한 플라즈마 발생으로 전극이 필요없기 때문에 고순도 분말 합성에 적합한 공정이다. 따라서 유도 열플라즈마 공정에 탄화수소계 액상연료인 도데칸(Dodecane, C12H26)을 출발원료로 사용하여 고순도 초고순도 카본분말 합성에 대한 가능성을 확인하고자 하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
실리콘카바이드는 무슨 특성을 가지는가? 실리콘카바이드(SiC)는 높은융점과 내마모성 및 열전도 특성으로 산업적으로 널리 활용되고 있다. 특히 고순도 SiC는 고효율 전력 변환용 SiC 반도체 및 LED 공정에 적용되는 미래소재로 각광받고 있다.
고순도 SiC가 어떤 산업에 각광 받고 있는가? 실리콘카바이드(SiC)는 높은융점과 내마모성 및 열전도 특성으로 산업적으로 널리 활용되고 있다. 특히 고순도 SiC는 고효율 전력 변환용 SiC 반도체 및 LED 공정에 적용되는 미래소재로 각광받고 있다. 본 연구에서는 고순도 SiC를 합성하기 위한 원료인 고순도 카본(C)을 유도 열플라즈마(RF Inductively thermal plasma)를 이용하여 합성하였으며, 출발원료로서 탄화수소계 액상물질인 도데칸이 사용되었다.
6N급 SiC 초고순도 제품제조하는 일본 기업은? 초고순도 SiC 원료 및 분말 기술은 세계적으로 기술 개발 초기단계이며 일본의 몇몇 회사에서 독자적으로 제조하여 초고순도 제품제조에 사용중이지만, 전략소재로 세계시장에서 구매할 수 없는 제품이다. 6 N급 이상의 초고순도 SiC 분말을 생산하고 있는 일본회사는 스미토모, 이비덴, 아시이글라스, 브릿지스톤, 소화전공 등이며, 최근에는 불순물 함량이 ppb 이하인 초고순도 SiC 분말 기술 개발이 진행중이다[6]. 미국에서는 Caborundum사에서 5N급 SiC 분말을 생산하고 있는 것으로 알려져있다[6].
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참고문헌 (15)

  1. M. Pierre, "Silicon carbide and silicon carbide-based structures: the physics of epitaxy", Surf. Sci. Rep. 48 (2002) 1. 

  2. B.G. Ravi, O.A. Omotoye, T.S. Srivatsan, M. Petrorali and T.S. Sudarshan, "The microstructure and hardness of silicon carbode synthesized by plasma pressure compaction", J. Alloys Compd. 299 (2009) 292. 

  3. J.P. Ahn, J.H. Chae, K.H. Kim, J.S. Park, D.G. Kim and H.S. Kim, "Effect of carbon and boron addition on sintering behavior and mechanical properties of hot-pressed SiC" J. Korean Cryst. Growth Cryst. Technol. 18 (2008) 15. 

  4. S.M. Ko, S.M. Koo, W.S. Cho, K.T. Hwang and J.H. Kim, "Synthesis of SiC nano-powder from organic precursors using RF inductively coupled thermal plasma", Ceram. Int. 38 (2012) 1959. 

  5. L. Wang, Y. Peng, X. Hu and X. Xu, "Combustion synthesis of high purity SiC powder by radio-frequency heating", Ceram. Int. 39 (2013) 6867. 

  6. World Premier Material program-Research committee 8 division, "Ultra-high purity SiC" (2010). 

  7. Y. Lin and C. Chuang, "The effects of transition metals on carbothermal synthesis of $\beta$ -SiC powder", Ceram. Int. 33 (2007) 779. 

  8. B.M. Moshtaghioun, R. Poyato, F.L. Cumbrera, S. de Bernardi-Martin, A. Monshi, M.H. Abbasi, F. Karimzadeh and A. Dominguez-Rodriguez, "Rapid carbothermic synthesis of silicon carbide nano powders by using microwave heating", J. Eur. Ceram. Soc. 32 (2012) 1787. 

  9. H. Martin, R. Ecke and E. Muller, "Synthesis of nanocrystallne silicon carbide powder by carbothermal reduction", J. Eur. Ceram. Soc. 18 (1998) 1737. 

  10. Z. Li, W. Zhou, T. Lei, F. Luo, Y. Huang and Q. Cao, "Microwave dielectric properties of SiC(B) solid solution powder prepared by sol-gel", J. Alloys Compd. 475 (2009) 506. 

  11. J. Li, J. Tian and L. Dong, "Synthesis of SiC precursors by a two-step sol-gel process and their conversion to SiC powders", J. Eur. Ceram. Soc. 77 (2000) 1853. 

  12. A. Najafi, F. Golestani Fard, H.R. Rezaie and N. Ehsani, "Synthesis and characterization of SiC nano powder with low residual carbon processed by sol-gel method", Powder Technol. 219 (2012) 202. 

  13. M.L. Richard and B. Florence, "Preceramic polymer routes to silicon carbide", Chem. Mater. 5 (1993) 260. 

  14. S. Matthews, M.J. Edirisinghef and M.J. Folkes, "Effect of pre-pyrolysis heat treatment on the preparation of silicon carbide from a polycarbosilane precursor", Ceram. Int. 25 (1999) 49. 

  15. V.G. Pol, S.V. Pol and A. Gedanken, "Novel synthesis of high surface area silicon carbide by RAPET (Reactions under autogenic pressure at elevated temperature) of organosilanes", Chem. Mater. 17 (2005) 1797. 

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