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NTIS 바로가기Korean chemical engineering research = 화학공학, v.51 no.6, 2013년, pp.755 - 759
지정민 (아주대학교 화학공학과, 에너지시스템학과) , 조성운 (아주대학교 화학공학과, 에너지시스템학과) , 김창구 (아주대학교 화학공학과, 에너지시스템학과)
The etch rate and etch profile of Si was investigated when Ar was added to an
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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플라즈마는 어떻게 비등방적인 식각프로파일을 형성할 수 있는가? | 플라즈마(plasma)는 부분적으로 이온화된 기체로서 플라즈마 내에 존재하는 이온을 이용한 식각에 의하여 수직적인 식각 프로파일 (profile), 즉 비등방적인 식각프로파일을 형성할 수 있다. 이러한 플라즈마는 반도체소자나 MEMS (microelectromechanical systems) 소자와 같은 다양한 소자제조공정에서 고종횡비(high aspect ratio) 구조물을 얻기 위해 많이 사용되고 있다[1-4]. | |
플라즈마란? | 플라즈마(plasma)는 부분적으로 이온화된 기체로서 플라즈마 내에 존재하는 이온을 이용한 식각에 의하여 수직적인 식각 프로파일 (profile), 즉 비등방적인 식각프로파일을 형성할 수 있다. 이러한 플라즈마는 반도체소자나 MEMS (microelectromechanical systems) 소자와 같은 다양한 소자제조공정에서 고종횡비(high aspect ratio) 구조물을 얻기 위해 많이 사용되고 있다[1-4]. | |
플라즈마를 이용해 고종횡비의 Si 구조물을 얻기 위한 deep Si etching에는 어떤 방법이 주로 이용되는가? | 이러한 플라즈마는 반도체소자나 MEMS (microelectromechanical systems) 소자와 같은 다양한 소자제조공정에서 고종횡비(high aspect ratio) 구조물을 얻기 위해 많이 사용되고 있다[1-4]. 특히 고종횡비의 Si 구조물을 얻기 위한 deep Si etching에는 Bosch 공정(process)이라고 불리우는 식각방법이 주로 이용된다[5-9]. Fig. |
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