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NTIS 바로가기한국정보통신학회논문지 = Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering, v.19 no.1, 2015년, pp.156 - 162
정학기 (Department of Electronic Engineering, Kunsan National University)
This paper has analyzed how conduction path and electron concentration for the device parameters such as oxide thickness, channel doping, and top and bottom gate voltage influence on subthreshold swing of asymmetric double gate MOSFET. Compared with symmetric and asymmetric double gate MOSFET, asymm...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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트랜지스터의 크기 감소의 특징은 무엇인가? | 집적도 향상에 가장 영향을 미치는 것은 설계기술 뿐만 이 아니라 개별 트랜지스터의 크기 감소이다. 트랜지스터의 크기 감소는 트랜지스터의 성능을 향상시키면서 생산성을 증대시킨다는 장점이 있지만 단채널 효과 등2차 효과의 증가라는 단점도 도출되고 있다. 기존의 CMOSFET는 단일 게이트 소자로서 10 나노이하 단위로 게이트길이를 제작하는데 한계를 갖고 있다. | |
비대칭 이중게이트 MOSFET의 장점은 무엇인가? | 본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 산화막두께, 채널도핑농도 그리고 상하단 게이트 전압 등과 같은 소자 파라미터에 따른 전도중심 및 전자농도가 문턱전압이하 스윙에 미치는 영향을 분석하고자 한다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 대칭구조와 비교하면 상하단 게이트 산화막의 두께 및 게이트 전압을 각각 달리 설정할 수 있으므로 단채널효과를 제어할 수 있는 요소가 증가하는 장점을 가지고 있다. 그러므로 상하단 산화막두께 및 게이트 전압에 따른 전도중심 및 전자분포의 변화를 분석하여 심각한 단채널효과인 문턱전압이하 스윙 값의 저하 현상을 감소시킬 수 있는 최적의 조건을 구하고자 한다. | |
비대칭 이중게이트 MOSFET의 상, 하단 게이트 산화막 두께의 변화에 따른 결과는? | 그러므로 전도중심 및 전자농도가 문턱전압이하 스윙에 미치는 영향을 자세히 고찰하였다. 결과적으로 상단게이트 산화막의 두께 증가에 따라 문턱전압이하 스윙 값은 선형적으로 비례하였으며 하단 게이트 산화막 두께가 증가할수록 문턱전압이하 스윙은 감소하였다. 또한 도핑농도의 변화에 따라 상하단 전도중심의 이동 및 상하단 전자농도가 변화하였으며 이에 따라 문턱전압이하 스윙 값은 크게 영향을 받고 있었다. |
D.Sima, Principles of Semiconductor Devices, 2nd, Oxford University Press, 2012.
K.K.Nagarajan and R.Srinivasan," Investigation of tunable chracteristics of independently driven double gate finfets in analog/RF domain using TCAD simulations," J. of Compitational and Theoretical Nanosciences, vol.11, no.2, pp.821-826, 2014.
J.P.Duarte, S.J.Choi, D.I.Moon and Y.K.Choi, "A nonpiecewise model for long-channel junctionless cylindrical nanowire FETs," IEEE Electron Device Letters, vol.33, no.2, pp.155-157, 2012.
J.B.Roldan, B.Gonzalez, B.Iniguez, A.M.Roldan, A.Lazaro and A.Cerdeira, "In-depth analysis and modelling of self-heating effects in nanometric DGMOSFETs," Solidstate electronics, vol.79, no.1, pp.179-184, 2013.
R.Vaddi, S.Dasgupta and R.P.Agarwal,"Analytical modeling of subthreshold current and subthreshold swing of an underlap DGMOSFET with tied independent gate and symmetric asymmetric options," Microelectronics J., vol.42, no.5, pp.798-807, 2011.
Z.Ding, G.Hu, J.Gu, R.Liu, L.Wang and T.Tang,"An analytical model for channel potential and subthreshold swing of the symmetric and asymmetric double-gate MOSFETs," Microelectronics J., vol.42, pp.515-519, 2011.
Hakkee Jung, "Analysis for Potential Distribution of Asymmetric Double Gate MOSFET Using Series Function," JKIICE, vol.17, no.11, pp.2621-2626, 2013.
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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