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NTIS 바로가기The journal of the institute of internet, broadcasting and communication : JIIBC, v.15 no.2, 2015년, pp.137 - 143
During the past 30 years, DRAM has been used for the reasons of economic efficiency of the production. Recently, PRAM has been emerged to overcome the shortcomings of DRAM. In this paper, we propose a technique that can reduce energy consumption by use of a narrow values to the write operation of PR...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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DRAM의 주요 장점은 무엇인가? | 지난 30년간 DRAM은 주 메모리의 핵심으로 다뤄져 왔는데, 이는 DRAM이 대체 가능한 다른 기술인 SRAM, MRAM 및 플래시 등의 기술보다 더 싼 가격으로 대용량 고속 메모리 설계를 가능하게 하였기 때문이다. 즉, DRAM의 주요 장점은 집적도, 에너지 효율성, 속도 그리고 비트 당 원가가 저렴하다고 할 수 있다. | |
상변화 메모리는 무엇인가? | 상변화 메모리는 안정되면서도 서로 다른 특징을 갖는 특정 물질의 특성을 이용한 메모리이다. PRAM에서 이 물질은 보통 게르마늄, 안티모니, 그리고 텔루리움으로 이루어진 칼코겐 화합물 합금(Ge2Sb2Te5, GST)으로 구성되며, 이 물질은 물리적인 특성이 서로 다른 두 가지 상태로 변이될 수 있다[2]. | |
칼코겐 화합물 합금이 변이 될 수 있는 각각의 상태는 무엇인가? | PRAM에서 이 물질은 보통 게르마늄, 안티모니, 그리고 텔루리움으로 이루어진 칼코겐 화합물 합금(Ge2Sb2Te5, GST)으로 구성되며, 이 물질은 물리적인 특성이 서로 다른 두 가지 상태로 변이될 수 있다[2]. GST의 두 가지 상태 중 첫 번째는 무정형 상태(amorphous state)이다. 이 상태에서는 적은 양의 빛만 투과되며 높은 전기적 저항을 갖는다. 두번째 상태는 결정질 상태(crystalline state)로 이 상태에서는 높은 빛 투과율과 낮은 전기적 저항을 가진다. 100나노 초 이하의 빠른 결정질 상태 변이 속도와 상태 변이에 따른 큰 저항 변화는 GST를 이용하여 PRAM을 구현케 하는 중요한 요소이다. |
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