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[국내논문] 내로우 값을 이용한 상변화 메모리상에서의 에너지 소모 절감 기법
Reducing Method of Energy Consumption of Phase Change Memory using Narrow-Value Data 원문보기

The journal of the institute of internet, broadcasting and communication : JIIBC, v.15 no.2, 2015년, pp.137 - 143  

김영웅 (한성대학교 컴퓨터공학과)

초록
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과거 30년 동안 메모리 생산의 경제성 이유로 주 메모리 핵심 제품으로 사용된 DRAM의 단점을 극복할 수 있는 대체 기술로 PRAM 기술이 제안되어 왔다. 본 논문에서는 PRAM의 내로우 값을 이용하여 쓰기 동작을 줄임으로써 에너지 소모를 절감할 수 있는 기법을 제안한다. 이를 위해 내로우 값을 이용한 데이터 압축 방법을 기술하고, PRAM의 아키텍쳐 구조를 설정하고, Simplescalar 3.0e 시뮬레이터와 SPEC CPU2000 벤치마크를 사용하여 실험한다. 본 연구의 실험 결과에 의하면 제안된 기법을 사용할 경우 PRAM의 데이터 히트율은 39.4%에서 67.7%로 증가하였으며, 에너지 소모율은 9.2% 감소하였다. 제안된 기법을 사용하기 위해서는 공간 오버헤드가 워드 당 3.13% 발생하며 약간의 추가적인 하드웨어 모듈이 필요하다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

During the past 30 years, DRAM has been used for the reasons of economic efficiency of the production. Recently, PRAM has been emerged to overcome the shortcomings of DRAM. In this paper, we propose a technique that can reduce energy consumption by use of a narrow values to the write operation of PR...

Keyword

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 논문에서는 PRAM의 쓰기 동작을 내로우 값(narrow value)을 이용하여 줄임으로써 에너지 소모를 절감할 수 있는 기법을 제안한다. 내로우 값은 데이터가 전체 비트의 절반만으로 표현될 수 있는 값을 말한다.
  • 본 연구에서는 시스템에서 사용되는 프로그램의 데이터 중 내로우 값을 지닌 데이터가 많다는 특성을 이용하여 PRAM에서 적재되는 데이터를 압축하여 적재하는 방법을 제안한다. 적재되는 데이터를 압축하면 동일 공간에 기존 대비 더 많은 데이터를 적재할 수 있게 되며, 이는 결과적으로 페이지 교체율을 감소시켜 더 적은 쓰기 동작을 유발하게 된다.
  • 본 연구에서는 PRAM의 쓰기 동작을 내로우 값을 이용하여 줄임으로써 에너지 소모를 절감할 수 있는 기법을 제안한다. 내로우 값들의 상위 비트들을 버리고 하위비트값 만을 PRAM에 저장하는 방식으로 PRAM 교체율을 줄이고 이에 따른 쓰기 동작을 줄임으로서 에너지소모를 절감하였다.

가설 설정

  • 반대로 데이터를 읽어 상위 비트로 전달해야 할 경우에는 내로우 값 비트에 저장된 값을 읽어온 후 쉬프트 로직의 입력 값으로 사용하여 압축된 데이터를 원래의 형태로 복원시킨다. 쉬프트 로직은 쉬프터와 가산기를 혼합하여 간단히 구현할 수 있으며 이 때 추가되는 연산 속도는 크게 증가되지 않으므로 성능에 영향을 주지 않는다고 가정하였다.
  • 또한 PRAM에서 데이터를 압축하여 적재한 후 남는 여분의 공간에 추가 데이터를 적재하여야 하는데 이는 데이터를 상위 레벨 메모리로 전달한 후 PRAM이 접근되지 않는 여분의 시간에 수행해도 충분하다. 따라서 이 부분은 PRAM 하위 시스템 외부의 메인 컨트롤러에서 수행한다고 가정하였으며 추가되는 하드웨어 로직은 없고 동작 방식의 변경만 있다고 가정하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
DRAM의 주요 장점은 무엇인가? 지난 30년간 DRAM은 주 메모리의 핵심으로 다뤄져 왔는데, 이는 DRAM이 대체 가능한 다른 기술인 SRAM, MRAM 및 플래시 등의 기술보다 더 싼 가격으로 대용량 고속 메모리 설계를 가능하게 하였기 때문이다. 즉, DRAM의 주요 장점은 집적도, 에너지 효율성, 속도 그리고 비트 당 원가가 저렴하다고 할 수 있다.
상변화 메모리는 무엇인가? 상변화 메모리는 안정되면서도 서로 다른 특징을 갖는 특정 물질의 특성을 이용한 메모리이다. PRAM에서 이 물질은 보통 게르마늄, 안티모니, 그리고 텔루리움으로 이루어진 칼코겐 화합물 합금(Ge2Sb2Te5, GST)으로 구성되며, 이 물질은 물리적인 특성이 서로 다른 두 가지 상태로 변이될 수 있다[2].
칼코겐 화합물 합금이 변이 될 수 있는 각각의 상태는 무엇인가? PRAM에서 이 물질은 보통 게르마늄, 안티모니, 그리고 텔루리움으로 이루어진 칼코겐 화합물 합금(Ge2Sb2Te5, GST)으로 구성되며, 이 물질은 물리적인 특성이 서로 다른 두 가지 상태로 변이될 수 있다[2]. GST의 두 가지 상태 중 첫 번째는 무정형 상태(amorphous state)이다. 이 상태에서는 적은 양의 빛만 투과되며 높은 전기적 저항을 갖는다. 두번째 상태는 결정질 상태(crystalline state)로 이 상태에서는 높은 빛 투과율과 낮은 전기적 저항을 가진다. 100나노 초 이하의 빠른 결정질 상태 변이 속도와 상태 변이에 따른 큰 저항 변화는 GST를 이용하여 PRAM을 구현케 하는 중요한 요소이다.
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참고문헌 (10)

  1. Z. Shao, "Utilizing PCM for Energy Optimization in Embedded Systems," VLSI (ISVLSI), 2012 IEEE Computer Society Annual Symposium on, 398-403 pages, 19-21 Aug. 2012. 

  2. A. Mirhoseini, M. Potkonjak, and F. Koushanfar, "Coding-based energy minimization for phase change memory," DAC '12 Proceedings of the 49th Annual Design Automation Conference, Pages 68-76 , 2012. 

  3. S. Cho and H. Lee, "Flip-N-Write: A simple deterministic technique to improve PRAM write performance, energy and endurance," 42nd Annual IEEE/ACM International Symposium, pages, 12-16 Dec. 2009. 

  4. T. Liu, Y. Zhao. C. Xue, and M. Li, "Power-aware variable partitioning for DSPs with hybrid PRAM and DRAM main memory," Design Automation Conference (DAC), 2011 48th ACM/EDAC/IEEE, pages, 5-9 Jun. 2011. 

  5. O. Ergin et al, "Exploiting narrow values for soft error tolerance," IEEE Computer Architecture Letters, 2006. 

  6. J Kim, S Kim, Y Lee, SimTag: exploiting tag bits similarity to improve the reliability of the data caches, Proceedings of the Conference on Design, and Test in Europe, 08-12, Mar. 2010. 

  7. D. Burger and T. M. Austin. The SimpleScalar Tool Set, Version 2.0. Computer Architecture News, pages 13-25, Jun. 1997. 

  8. The Standard Performance Evaluation Corporation. Spec CPU2000 suite. http://www.specbench.org/osg/cpu2000/. 

  9. ARM Cortex A8 processor, "http://www.arm.com/products/processors/cortex-a/cortex-a8.php" 

  10. Y. Kim, "Improving Reliability of the Last Level Cache with Low Energy and Low Area Overhead"The Journal of The Institute of Internet, Broadcasting and Communication(JIIBC), pages, 35-41, Apr. 2012. 

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