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세라미스트 = Ceramist, v.20 no.4, 2017년, pp.6 - 14
안덕원 ((주)미코, 기술연구소) , 박명하 ((주)미코, 기술연구소)
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| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| 반도체 증착 공정에서 매립형 히터의 역할은? | 반도체 증착 공정은 300℃이상의 비교적 고온에서 이루어진다. 이때 웨이퍼에 400℃ 이상의 열을 가해주는장치로 사용되는 부품이 매립형 히터이다. 이러한 발열체 매립형 히터는 주로 메탈 재료가 주를 이루었으나 증착 공정의 온도가 올라감에 따라 웨이퍼와 메탈의 열팽창률 차이로 인해 웨이퍼의 미끄러짐 문제가 발생한다. | |
| 증착 공정은 어떻게 진행되는가? | 특히 반도체용 Heater의 경우는 증착 공정에서 원하는 막질을 얻기 위한 증학 장비의 핵심부품 요소로 자리잡고 있다. 증착 공정은 통상 진공조건을 유지한채 반응기에 RF(Radio Frequency) 파워를 인가하여 히터 위에 안착된 웨이퍼에 열을 전달하고 플라즈마 상태를 유지한 상태에서 제조공정에 사용되는 화학 Gas를 유입하여 원하는 막질을 얻는 공정으로 진행된다. | |
| AlN 히터의 문제점은? | 이러한 문제를 해결하기 위하여 열팽창 계수가 실리콘 웨이퍼와 유사하고 내플라즈마성을 갖는 AlN 세라믹 소재를 이용한 히터가 적용되었으며, 현재는 500℃이상의 고온공정에서는 AlN 히터가 주를 이루고 있다. 하지만 최근 더욱 가혹해진 증착공정으로 인하여, 웨이퍼 가열과 냉각이 반복되며, 특히 고온의 증착 공정에서의 온도에 의한 웨이퍼 휨(warpage) 현상과 같은 문제점이 나타나고있다. |
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