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High Resistivity SOI RF CMOS 인덕터의 주파수 종속 Quality Factor 모델링
Frequency-Dependent Quality Factor Modeling of High Resistivity SOI RF CMOS Inductor

Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers = 전자공학회논문지, v.54 no.9 = no.478, 2017년, pp.31 - 37  

이창조 (한국외국어대학교 전자공학과) ,  이성현 (한국외국어대학교 전자공학과)

초록
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High resistivity(HR) silicon-on-insulator(SOI) 웨이퍼에 존재하는 낮은 parasitic conduction 저항 효과를 반영한 RF CMOS 표준형 인덕터 등가회로를 제시하고 정확한 주파수 종속 quality factor 모델링을 수행하였다. 이러한 parasitic conduction 저항과 oxide capacitance의 변화에 따른 주파수 종속 quality factor에 대한 영향을 시뮬레이션 및 이론 방정식을 통하여 자세히 분석하였다. 이 분석 결과로부터 quality factor의 최대값과 그때의 주파수가 parasitic conduction 저항의 감소에 따라서 증가하지만, 공진 주파수는 parasitic conduction 저항의 영향이 거의 없는 것을 알 수 있다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

A RF CMOS standard inductor equivalent circuit considering the low parasitic conduction resistance effect in high resistivity(HR) silicon-on-insulator (SOI) wafers is proposed and accurate frequency-dependent quality factor modeling has been performed. The effects of the frequency dependent quality ...

주제어

#SOI   #RF CMOS   #inductor   #quality factor   #modeling  

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