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논문 상세정보

Solution-Processed Al2O3 확산층을 이용한 Sputtering IZO Thin Film Transistor의 안정성 향상

Improved Stability Sputtered IZO Thin Film Transistor Using Solution Processed Al2O3 Diffusion Layer

Abstract

This research introduces the sputtered IZO thin film transistor (TFT) with solution-processed $Al_2O_3$ diffusion layer. IZO is one of the most commonly used amorphous oxide semiconductor (AOS) TFT. However, most AOS TFTs have many defects that degrade performance. Especially oxygen vacancy in the active layer. In previous research, aluminum was used as a carrier suppressor by binding the oxygen vacancy and making a strong bond with oxygen atoms. In this paper, we use a solution-processed $Al_2O_3$ diffusion layer to fabricate stable IZO TFTs. A double-layer solution-processed $Al_2O_3$-sputtered IZO TFT showed better performance and stability, compared to normal sputtered IZO TFT.

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