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NTIS 바로가기마이크로전자 및 패키징 학회지 = Journal of the Microelectronics and Packaging Society, v.25 no.3, 2018년, pp.61 - 66
This research scrutinizes the self-annealing characteristics of copper used to metal interconnection for application of DRAM fabrication process. As the time goes after the copper deposited, the grain of copper is growing. It is called self-annealing. We use the electroplating method for copper depo...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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자기 열처리(self-annealing)란 무엇인가? | 구리를 증착하고 상온에서 시간이 경과하면 구리가 성장하여 결정체 크기 변화가 생기는데 이를 자기 열처리(self-annealing)이라고 부른다. 5) 자기 열처리 결과로 구리의 구조적 변화 및 전기적 성질이 바뀌게 되고 신뢰성 특성에도 영향을 미친다. | |
알루미늄 대신 구리(Cu)를 사용했을 때 장점은? | 또 다른 방법으로는 선간 신호지연 현상을 경감하기 위해 회로적으로 규칙적인 리피터(repeater)를 삽입하는 것인데1) 이 또한 소자의 면적증대와 전력 소비증가가 우려된다. 가장 적절한 방법으로 기존 사용 금속 재료인 알루미늄(Al) 대신 비 저항 값이 작은 물질인 은(Ag), 구리(Cu), 금(Au)등을 대안으로 생각할 수 있는데, 공정적합성, 즉 낮은 공정비용, 높은 증착비율, 낮은 공정 진행 온도, 매우 좋은 electromigration 특성, 높은 틈새 매움 능력 등을 고려 해 볼 때 구리가 가장 적합한 것으로 연구되었다. 2) | |
electromigration 현상을 해결한는 방법은? | 또 다른 문제로 배선너비가 줄어 들면 연결저항과 전류밀도가 증가하게 되고 electromigration 현상과 같은 신뢰성 특성이 저하 된다. 이를 해결하기 위해 더 많은 금속배선을 사용하는 것도 하나의 방법이지만 이는 평탄화, 패턴 형성, 수율 등의 공정 난이도를 증가시켜 제조비용 상승으로 이어지는 부작용이 있다. 또 다른 방법으로는 선간 신호지연 현상을 경감하기 위해 회로적으로 규칙적인 리피터(repeater)를 삽입하는 것인데1) 이 또한 소자의 면적증대와 전력 소비증가가 우려된다. 가장 적절한 방법으로 기존 사용 금속 재료인 알루미늄(Al) 대신 비 저항 값이 작은 물질인 은(Ag), 구리(Cu), 금(Au)등을 대안으로 생각할 수 있는데, 공정적합성, 즉 낮은 공정비용, 높은 증착비율, 낮은 공정 진행 온도, 매우 좋은 electromigration 특성, 높은 틈새 매움 능력 등을 고려 해 볼 때 구리가 가장 적합한 것으로 연구되었다. |
H. Bakoglu, and J. D. Meindl, "Optimal interconnection circuits for VLSI", IEEE Transactions on Electron Devices, 32(5), 903 (1985).
N. Shinoda, T. Shimizu, T. F. Chang, and A. Shibata, and M. Sone, "Filling of nanoscale holes with high aspect ratio by Cu electroplating using suspension of supercritical carbon dioxide in electrolyte with Cu particles", Microelectronic Engineering, 97, 126 (2012).
P. Vereecken, P. Binstead, H. Deligianni, and P. Andricacos, "The chemistry of additives in damascene copper plating", IBM Journal of Research and Development, 49(1), 3 (2005).
E. M. Zielinski, S. W. Russell, and R. S. List, A. M. Wilson, C. Jin, K. J. Newton, J. P. Lu, T. Hurd, W. Y. Hsu, V. Cordasco, M. Gopikanth, V. Korthuis, W. Lee, G. Cerny, N. M. Russell, P. B. Smith, S. O'Brien, and R. H. Havemann, "Damascene integration of copper and ultra-low-k xerogel for high performance interconnects", IEEE Electron Devices Meeting, 936 (1997).
K. Ueno, T. Ritzdorf, and S. Grace, "Seed layer dependence of room-temperature recrystallization in electroplated copper films", Journal of applied physics, 86(9), 4930 (1999).
K. Ritzdorf, L. Graham, and S. Jin, et al., "Self-annealing of electrochemically deposited copper films in advanced interconnect applications", Proc. International Interconnect Technology, 166 (1998).
J. M. E. Harper, C. Cabral, and Jr., P. C. Andricacos, L. Gignac, I. C. Noyan, K. P. Rodbell, and C. K. Hu, "Mechanisms for microstructure evolution in electroplated copper thin films near room temperature", Journal of applied physics, 86(5), 2516 (1999).
H. Lee, S. S. Wong, and S. D. Lopatin, "Correlation of stress and texture evolution during self- and thermal annealing of electroplated Cu films", Journal of applied physics, 93(7), 3796 (2003).
H. Lee, W. D. Nix, and S. S. Wong, "Studies of the driving force for room-temperature microstructure evolution in electroplated copper films", Journal of vacuum science & technology, 22(5), 2369 (2004).
M. Stangl, J. Acker, V. Dittel, W. Gruner, V. Hoffmann, and K. Wetzig "Characterization of electroplated copper selfannealing with investigations focused on incorporated impurities," Microelectronic Engineering, 82, 189 (2005).
S. Lagrange, S. Brongersma, M. Judelewicz, A. Saerens, I. Vervoort, E. Richard, R. Palmans, and K. Maex "Self-annealing characterization of electroplated copper films", Microelectronic Engineering, 50, 449 (2000).
M. Stangl, and M. Militzer "Modeling self-annealing kinetics in electroplated Cu thin films," Journal of applied physics, 103(113521), 1 (2008).
C. Ryu, K. W. Kwon, A. L. S. Loke, H. Lee, T. Nogami, V. M. Dubin, R. A. Kavari, G. W. Ray, and S. S. Wong, "Microstructure and reliability of copper interconnects", IEEE Trans. Electron Devices, 46(6), 1113 (1999).
J. Y. Cho, H. J. Lee, H. Kim, and J. A. Szpunar, "Textural and microstructural transformation of Cu damascene interconnects after annealing", Journal of Electronic materials, 34(5), 506 (2005).
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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