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DRAM 집적공정 응용을 위한 전기도금법 증착 구리 박막의 자기 열처리 특성 연구
A Study on the Self-annealing Characteristics of Electroplated Copper Thin Film for DRAM Integrated Process 원문보기

마이크로전자 및 패키징 학회지 = Journal of the Microelectronics and Packaging Society, v.25 no.3, 2018년, pp.61 - 66  

최득성 (영남이공대학교) ,  정승현 (영남이공대학교)

초록
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본 연구에서는 DRAM 제조 집적공정의 금속배선으로 사용하는 구리의 자기 열처리(self-annealing) 후 박막 특성 변화에 대한 연구를 진행하였다. 구리를 증착하고 상온에서 시간이 경과하면 구리가 성장하여 결정체 크기 변화가 생기는데 이를 자기 열처리라고 부른다. 구리 금속의 증착은 전기 도금법(electroplating)을 사용하였다. 구리 도금액으로 유기 첨가물이 다른 두 가지 시료인 기준 도금액과 평가 도금액 두 용액에 대해 평가 하였다. 자기 열처리 시간이 경과함에 따라 시간에 대해 면 저항 값의 변화가 없는 영역과 이후 급격하게 떨어지는 구간으로 나누어지고 최종적으로 포화면 저항 값을 보인다. 최종적인 면 저항 값은 초기 값 대비 20% 개선 효과를 보인다. 평가 전해액의 자기 열처리 효과가 기준 용액 대비 더 빠른 시간 안에 이루어졌는데 이는 유기 첨가물의 차이 때문이다. 개선의 효과 분석으로 TEM 장비를 이용하여 결정체 변화를 관찰하였고 자기 열처리 공정에 의해 효과적인 결정체 성장이 이루어졌음을 발견했다. 또한 단면 TEM 측정 결과 자기 열처리 된 시료는 전류 방향으로의 결정체 경계면 숫자가 줄어드는 bamboo 구조를 보인다. 열적 열하 특성(thermal excursion characteristics) 측정 결과 고온 열처리 대비 자기 열처리 시료가 hillock 특성이 보이지 않고 이는 박막의 신뢰성 특성을 향상 시킨다. Electron backscattered diffraction (EBSD) 측정 결과 결정체가 $2{\mu}m$까지 성장한 결정체를 관찰하였고 스트레스에 의한 void를 억제하는데 유리한 (100) 면 비중이 증가하는 방향으로 결정체 성장이 이루어짐을 알 수 있다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

This research scrutinizes the self-annealing characteristics of copper used to metal interconnection for application of DRAM fabrication process. As the time goes after the copper deposited, the grain of copper is growing. It is called self-annealing. We use the electroplating method for copper depo...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 재결정화 시간을 충분히 주면 기준 전해액의 평가 면 저항 값도 안정적 값을 보일 것으로 예상되나, 추가 경과시간은 생산성을 떨어지게 만드는 단점이 있다. 또한 재결정화 변화를 유발시키는 다른 공정 변수로 박막 두께가 두꺼울수록, 구리전기 도금 전류 밀도가 증가할수록 재결정화율은 증가한다고 알려졌으나 본 실험에서는 설정된 공정 target과 조건에 대해 평가 하였다. 면 저항 값의 변화는 두 개의 구간으로 확연하게 구별되어 지는데 첫 번째 구간은 초기 회복 단계(initial recovery stage)이고 두 번째 단계는 재결정화(recrystallization) 단계이다.
  • 본 연구는 DRAM 집적 공정에 사용할 목적으로 구리 박막의 자기 열처리 공정에 대한 평가를 진행하였다. 구리를 전기 도금법으로 증착하고 상온에서 자기 열처리를 진행하면 구리 박막의 결정체 성장이 이루어진다.
  • 본 연구는 휘발성 메모리인 DRAM 소자의 동작 속도 개선을 위해 구리를 배선 금속으로 사용하여 공정을 집적(process integration)하고 평가 하였다. DRAM 소자의 공정 집적은 집적도가 높은 메모리 셀 트랜지스터와 커패시터에 맞추어 소자의 수율 상승 및 저 비용 공정 단가 등을 고려하여 최적화 되어 있다.
  • 주어진 전체 공정 집적 순서 및 공정 구조를 감안하여 구리 공정을 설계하고 구리의 자기 열처리 단위 공정을 평가 하였다. 본 연구에서는 설계된 구리 집적 공정 변수에 대해 열처리 시간 변수에 따른 구리 박막의 전기적 특성, 결정체(grain) 크기의 변화, 표면의 거칠기 등의 배향 특성과 두 가지 종류의 전기 도금액에 대해 평가하여 DRAM 제조 공정에서 사용 할 수 있는 baseline 공정 조건을 찾는 연구를 진행 하였다.

가설 설정

  • 유기 첨가물의 역할은 재결정화의 초기를 결정하고 이를 가속화 하는 역할을 하고 농도가 적을 시 재결정화 지연 현상을 초래 한다.11) 그러나 유기 첨가물의 농도는 각 설정된 실험환경에 따라 최적 조건이 존재 한다. 재결정화 시간을 충분히 주면 기준 전해액의 평가 면 저항 값도 안정적 값을 보일 것으로 예상되나, 추가 경과시간은 생산성을 떨어지게 만드는 단점이 있다.
  • 면 저항 값의 변화는 두 개의 구간으로 확연하게 구별되어 지는데 첫 번째 구간은 초기 회복 단계(initial recovery stage)이고 두 번째 단계는 재결정화(recrystallization) 단계이다.12) 초기 회복단계는 자기열처리 과정에서 성장한 초기 결정체 크기가 임계 값을 갖지 못한 상태이다. 임계 값을 넘어서면 결정체 재결정화 과정이 이루어지고 이에 따라 저항 값이 감소하게 된다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
자기 열처리(self-annealing)란 무엇인가? 구리를 증착하고 상온에서 시간이 경과하면 구리가 성장하여 결정체 크기 변화가 생기는데 이를 자기 열처리(self-annealing)이라고 부른다. 5) 자기 열처리 결과로 구리의 구조적 변화 및 전기적 성질이 바뀌게 되고 신뢰성 특성에도 영향을 미친다.
알루미늄 대신 구리(Cu)를 사용했을 때 장점은? 또 다른 방법으로는 선간 신호지연 현상을 경감하기 위해 회로적으로 규칙적인 리피터(repeater)를 삽입하는 것인데1) 이 또한 소자의 면적증대와 전력 소비증가가 우려된다. 가장 적절한 방법으로 기존 사용 금속 재료인 알루미늄(Al) 대신 비 저항 값이 작은 물질인 은(Ag), 구리(Cu), 금(Au)등을 대안으로 생각할 수 있는데, 공정적합성, 즉 낮은 공정비용, 높은 증착비율, 낮은 공정 진행 온도, 매우 좋은 electromigration 특성, 높은 틈새 매움 능력 등을 고려 해 볼 때 구리가 가장 적합한 것으로 연구되었다. 2)
electromigration 현상을 해결한는 방법은? 또 다른 문제로 배선너비가 줄어 들면 연결저항과 전류밀도가 증가하게 되고 electromigration 현상과 같은 신뢰성 특성이 저하 된다. 이를 해결하기 위해 더 많은 금속배선을 사용하는 것도 하나의 방법이지만 이는 평탄화, 패턴 형성, 수율 등의 공정 난이도를 증가시켜 제조비용 상승으로 이어지는 부작용이 있다. 또 다른 방법으로는 선간 신호지연 현상을 경감하기 위해 회로적으로 규칙적인 리피터(repeater)를 삽입하는 것인데1) 이 또한 소자의 면적증대와 전력 소비증가가 우려된다. 가장 적절한 방법으로 기존 사용 금속 재료인 알루미늄(Al) 대신 비 저항 값이 작은 물질인 은(Ag), 구리(Cu), 금(Au)등을 대안으로 생각할 수 있는데, 공정적합성, 즉 낮은 공정비용, 높은 증착비율, 낮은 공정 진행 온도, 매우 좋은 electromigration 특성, 높은 틈새 매움 능력 등을 고려 해 볼 때 구리가 가장 적합한 것으로 연구되었다.
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참고문헌 (14)

  1. H. Bakoglu, and J. D. Meindl, "Optimal interconnection circuits for VLSI", IEEE Transactions on Electron Devices, 32(5), 903 (1985). 

  2. N. Shinoda, T. Shimizu, T. F. Chang, and A. Shibata, and M. Sone, "Filling of nanoscale holes with high aspect ratio by Cu electroplating using suspension of supercritical carbon dioxide in electrolyte with Cu particles", Microelectronic Engineering, 97, 126 (2012). 

  3. P. Vereecken, P. Binstead, H. Deligianni, and P. Andricacos, "The chemistry of additives in damascene copper plating", IBM Journal of Research and Development, 49(1), 3 (2005). 

  4. E. M. Zielinski, S. W. Russell, and R. S. List, A. M. Wilson, C. Jin, K. J. Newton, J. P. Lu, T. Hurd, W. Y. Hsu, V. Cordasco, M. Gopikanth, V. Korthuis, W. Lee, G. Cerny, N. M. Russell, P. B. Smith, S. O'Brien, and R. H. Havemann, "Damascene integration of copper and ultra-low-k xerogel for high performance interconnects", IEEE Electron Devices Meeting, 936 (1997). 

  5. K. Ueno, T. Ritzdorf, and S. Grace, "Seed layer dependence of room-temperature recrystallization in electroplated copper films", Journal of applied physics, 86(9), 4930 (1999). 

  6. K. Ritzdorf, L. Graham, and S. Jin, et al., "Self-annealing of electrochemically deposited copper films in advanced interconnect applications", Proc. International Interconnect Technology, 166 (1998). 

  7. J. M. E. Harper, C. Cabral, and Jr., P. C. Andricacos, L. Gignac, I. C. Noyan, K. P. Rodbell, and C. K. Hu, "Mechanisms for microstructure evolution in electroplated copper thin films near room temperature", Journal of applied physics, 86(5), 2516 (1999). 

  8. H. Lee, S. S. Wong, and S. D. Lopatin, "Correlation of stress and texture evolution during self- and thermal annealing of electroplated Cu films", Journal of applied physics, 93(7), 3796 (2003). 

  9. H. Lee, W. D. Nix, and S. S. Wong, "Studies of the driving force for room-temperature microstructure evolution in electroplated copper films", Journal of vacuum science & technology, 22(5), 2369 (2004). 

  10. M. Stangl, J. Acker, V. Dittel, W. Gruner, V. Hoffmann, and K. Wetzig "Characterization of electroplated copper selfannealing with investigations focused on incorporated impurities," Microelectronic Engineering, 82, 189 (2005). 

  11. S. Lagrange, S. Brongersma, M. Judelewicz, A. Saerens, I. Vervoort, E. Richard, R. Palmans, and K. Maex "Self-annealing characterization of electroplated copper films", Microelectronic Engineering, 50, 449 (2000). 

  12. M. Stangl, and M. Militzer "Modeling self-annealing kinetics in electroplated Cu thin films," Journal of applied physics, 103(113521), 1 (2008). 

  13. C. Ryu, K. W. Kwon, A. L. S. Loke, H. Lee, T. Nogami, V. M. Dubin, R. A. Kavari, G. W. Ray, and S. S. Wong, "Microstructure and reliability of copper interconnects", IEEE Trans. Electron Devices, 46(6), 1113 (1999). 

  14. J. Y. Cho, H. J. Lee, H. Kim, and J. A. Szpunar, "Textural and microstructural transformation of Cu damascene interconnects after annealing", Journal of Electronic materials, 34(5), 506 (2005). 

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