[논문]Ag/Sn/Ag 샌드위치 구조를 갖는 Backside Metallization을 이용한 고온 반도체 접합 기술

최진석; 안성진

doi:10.6117/kmeps.2020.27.1.001

Ag/Sn/Ag 샌드위치 구조를 갖는 Backside Metallization을 이용한 고온 반도체 접합 기술
High-temperature Semiconductor Bonding using Backside Metallization with Ag/Sn/Ag Sandwich Structure 원문보기

마이크로전자 및 패키징 학회지 = Journal of the Microelectronics and Packaging Society, v.27 no.1, 2020년, pp.1 - 7

최진석 (금오공과대학교 신소재공학과) , 안성진 (금오공과대학교 신소재공학과)

Abstract ▼ AI-Helper

The backside metallization process is typically used to attach a chip to a lead frame for semiconductor packaging because it has excellent bond-line and good electrical and thermal conduction. In particular, the backside metal with the Ag/Sn/Ag sandwich structure has a low-temperature bonding process and high remelting temperature because the interfacial structure composed of intermetallic compounds with higher melting temperatures than pure metal layers after die attach process. Here, we introduce a die attach process with the Ag/Sn/Ag sandwich structure to apply commercial semiconductor packages. After the die attachment, we investigated the evolution of the interfacial structures and evaluated the shear strength of the Ag/Sn/Ag sandwich structure and compared to those of a commercial backside metal (Au-12Ge).

주제어

표/그림 (10)

그림 Fig. 1. Schematic of backside metal structure and the materials and key functions of the individual layers.
그림 Fig. 2. Operating temperatures of a backside metallization with multilayer structure and several high solder materials.
그림 Fig. 3. Bird-eye view SEM images of the surface morphology of Ag/Sn backside metal layers.
그림 Fig. 4. Cross-section SEM image of the backside metal with Ag/Sn/Ag sandwich structure.
그림 Fig. 5. Interfacial structure after die attach process of the backside metal with Ag/Sn/Ag sandwich structure.
그림 Fig. 6. Interfacial structures between the Si chip and bare Cu and Ag-plated Cu lead frames after die attach process.
그림 Fig. 7. (a) Cross-section SEM image between the Si chip and Ag-plated Cu lead frame. (b-h) EDS area mapping results.
표 Table 1. EDS quantitative analysis of the interface between Si chip and Cu-plated Alloy 42 lead frame.
그림 Fig. 8. Shear strength results when the Ag/Sn/Ag backside metal were attached on the Cu-plated Alloy 42, bare Cu, and Agplated Cu lead frames.
표 Table 2. EDS quantitative analysis of the interface between Si chip and Ag-plated Cu lead frame.

AI 본문요약
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문제 정의

1Si, Au-20Sn 공정 합금을 이용한다. 또한, 반도체 패키지 제조 비용을 감소시키기 위해 Au 계열 합금 대신 Sn 계 합금 솔더인 Sn-Cu, Sn-Ag, Sn-Ag-Cu를 적용하기 위한 연구를 수행하고 있다. 마지막으로 솔더 층의 산화방지를 위해 주로 Au 또는 Ag를 얇게 증착하여 사용하고 있다.
본 논문에서는 반도체 접합 방법의 하나인 Backside metallization(BSM)에 Ag/Sn/Ag 샌드위치 구조를 적용한 접합 방법을 소개하고자 한다. BSM 공정이란 반도체를 리드프레임에 접합하기 위해 웨이퍼 후면에 다층의 금속박막을 형성하는 공정으로서 금속 박막의 구조에 따라 그 특성이 변하기 때문에 그 구조를 변화하여 다양한 반도체 패키지에 적용 가능한 장점을 가지고 있다.
본 논문에서는 빠른 접합 시간을 가지며 저온 본딩이 가능하고 고온에서 재 용융이 이루어지지 않는 특징을 갖는 Ag/Sn/Ag 샌드위치 구조를 BSM 공정에 적용한 연구 결과를 소개하였다. 이러한 Ag/Sn/Ag 샌드위치 구조는 천이 액상 확산 접합의 장점과 BSM 공정의 장점을 모두 갖고 있는 특징이 있다.

가설 설정

^25,26) 이러한 금속간화합물 형성 메커니즘을 요약하여 설명하면 다음과 같다.²⁷⁾ 먼저 가열된 리드프레임과 BSM 층이 접촉하게 되면 낮은 융점을 갖는 Sn이 순간적으로 용융될 것이다. 그 후 용융된 Sn이 리드프레임에 도금된 Cu와 반응하여 Cu₆Sn₅를 형성하고, 리드프레임이 냉각되는 동안 Cu₃Sn의 충분한 성장이 이루어지게 된다.
²⁸⁾ 또한, Cu/Cu₃Sn 계면에서 Sn과 Cu의 상호 확산 속도 차이(Cu의 확산 속도가 Sn보다 더 빠르다)에 의해 발생하는 Kirkendall void가 형성될 수 있다.²⁹⁾ Ag가 도금된 리드프레임에서 발생하는 공극은 도금 후 제거되지 않은 유기물 및 S와 같은 불순물들에 의해 형성될 수 있다.^29-31) 계면에 형성된 공극은 제품의 신뢰성을 저하시킬 수 있기 때문에 발생을 최소화해야 한다.

제안 방법

본 연구진은 최근에 솔더 재료로 사용되는 고가의 Au계열 합금을 대체하기 위해 Sn, Ag를 Ag/Sn/Ag 샌드위치구조로 적용하여 Sn 융점의 낮은 온도에서 접합이 가능하고 400 ℃ 이상의 높은 온도에서 재 용융(remelting)이 발생하지 않는 공정을 개발하였다. BSM 층을 증착하기 위하여 전자빔 증착기(e-beam evaporator)를 사용했으며 실리콘 웨이퍼 후면에 Ti/Ni/Ag/Sn/Ag 구조를 형성하였다. 여기서 Ti 층은 웨이퍼와 이종 금속 박막의 adhesion 향상, Ni 층은 Sn의 확산 방지를 위해 향상시키기 위해 각각 증착하였다.
BSM 공정이란 반도체를 리드프레임에 접합하기 위해 웨이퍼 후면에 다층의 금속박막을 형성하는 공정으로서 금속 박막의 구조에 따라 그 특성이 변하기 때문에 그 구조를 변화하여 다양한 반도체 패키지에 적용 가능한 장점을 가지고 있다. 먼저 BSM공정에 대하여 소개하고, Ag/Sn/Ag 샌드위치 구조를 적용했을 때 접합부의 구조, 전단 강도(shear strength) 평가 결과를 고찰하고자 한다.
반도체 칩의 접합 계면을 조사하기 위해 약 5 µm 두께의 Cu가 도금된 Alloy 42 리드프레임을 사용하였으며 다이 본딩 설비를 이용하여 0.1 N의 힘으로 20 ms 동안 320 ℃의 온도에서 반도체 칩을 리드프레임에 접합하였다.
31 at%로 Cu₃Sn으로 각각 추정된다. 본 연구진은 SAED(selective-area electron diffraction) pattern 분석을 실시하였으며, 각 영역이 Cu₆Sn₅, Ag₃Sn, Cu₃Sn 금속간화합물인 것을 확인하였다. 접합 계면에 존재하는 Cu는 리드프레임에 도금된 Cu가 칩과 접합하는 과정에서 용융된 Sn과 반응했기 때문이다.
본 연구진은 다양한 제품에 적용하기 위해 다른 종류의 리드프레임(Bare Cu, Ag 도금된 Cu 리드프레임)에 Ag/Sn/Ag 샌드위치 구조를 이용하여 접합을 실시하였고 그 결과를 Fig. 6에 나타냈다. 계면이 깨끗하게 잘 형성된 것을 확인할 수 있으나 접합 후 계면에 Alloy 42 리드프레임에 비해 더 많은 공극이 형성된 것으로 조사되었다.
본 연구진은 최근에 솔더 재료로 사용되는 고가의 Au계열 합금을 대체하기 위해 Sn, Ag를 Ag/Sn/Ag 샌드위치구조로 적용하여 Sn 융점의 낮은 온도에서 접합이 가능하고 400 ℃ 이상의 높은 온도에서 재 용융(remelting)이 발생하지 않는 공정을 개발하였다.
OM 분석 결과 실리콘 칩과 리드프레임 사이에 계면이 깨끗하게 형성되었고, Ni 층과 Cu 도금층 사이에 3가지의 영역이 존재하는 것을 알 수 있다. 접합 후 형성된 계면을 정밀하게 분석하기 위해 TEM 분석을 실시하였다. Fig.

성능/효과

일반적으로 사용되고 있는 Au-12Ge 합금의 경우 11 MPa의 전단 강도를 나타낸다.²⁷⁾ Ag/Sn/Ag 샌드위치 구조를 적용했을 때 전단 강도 측면에서 세 종류의 리드프레임 모두 우수한 특성을 보이고 있다. Bare Cu나 Ag 도금된 Cu 리드프레임의 전단 강도는 Cu 도금된 Alloy 42보다 각각 약 2배, 1.
Ag/Sn 증착 시 기판 온도를 90 °C/80 °C에서 70 °C/60 °C로 낮추게 되면 표면 거칠기가 감소하는 것을 확인할 수 있다.
²⁷⁾ Ag/Sn/Ag 샌드위치 구조를 적용했을 때 전단 강도 측면에서 세 종류의 리드프레임 모두 우수한 특성을 보이고 있다. Bare Cu나 Ag 도금된 Cu 리드프레임의 전단 강도는 Cu 도금된 Alloy 42보다 각각 약 2배, 1.5배 높게 나타났다. 하지만 각 리드프레임을 양산 설비에 적용시켰을 때 Cu 리드프레임의 경우 Alloy 42에서 발생하지 않는 치명적인 불량 현상이 나타났다.
7). EDS 분석 결과 Ni 층 바로 밑에 Ni 28.9 at%, Sn 71.1 at%이 존재하는 것으로 확인되었다. Ni-Sn을 이용한 천이 액상 확산 접합에서는 주로 Ni₃Sn₄ 금속간화합물이 형성된다.
OM 및 TEM 분석 결과 접합 후 계면에서 형성된 금속간화합물들에 의해 재 용융 온도는 각 금속간화합물의 용융온도(Ag3Sn은 480 °C, Cu6Sn5는 415°C, Cu3Sn은 676 °C)만큼 높아졌기 때문에 접합 온도보다 높은 온도에서도 계면의 재 용융이 이루어지지 않게 되는 것을 알 수 있다.
5는 칩과 리드프레임의 접합 후 그 구조를 OM(optical microscope) 및 TEM-EDS(transmission electron microscope-energy dispersive x-ray spectroscopy)를 이용해 조사한 결과이다. OM 분석 결과 실리콘 칩과 리드프레임 사이에 계면이 깨끗하게 형성되었고, Ni 층과 Cu 도금층 사이에 3가지의 영역이 존재하는 것을 알 수 있다. 접합 후 형성된 계면을 정밀하게 분석하기 위해 TEM 분석을 실시하였다.
6에 나타냈다. 계면이 깨끗하게 잘 형성된 것을 확인할 수 있으나 접합 후 계면에 Alloy 42 리드프레임에 비해 더 많은 공극이 형성된 것으로 조사되었다. 도금되지 않은 Bace Cu 리드프레임에서 공극이 발생하는 원인은 Sn과 Cu가 반응하여 Cu₆Sn₅이 성장하는 과정에서 발생하는 몰 부피(molar volume) 변화에 의해 발생하는 것으로 사료된다.
총 10개 시편의 강도를 평가했으며 평균 약 54 MPa로 Bare Cu 리드프레임과 접합할 때 가장 큰 강도 값을 갖고 있다. 그 다음으로 Ag도금된 Cu 리드프레임이 약 32 MPa의 전단 강도를 나타내며, Cu 도금된 Alloy 42 리드프레임에서 가장 낮은 값인 평균 약 25 MPa을 보이고 있다. 일반적으로 사용되고 있는 Au-12Ge 합금의 경우 11 MPa의 전단 강도를 나타낸다.
약 100 개 중 약 1–5개의 반도체 칩이 접합 후 냉각되는 과정에서 리드프레임과 분리되는 현상이 나타났다.
특히 Ag 도금된 Cu 리드프레임의 경우 동일한 조건으로 접합했을 때 순수한 Sn 영역이 존재했으며, 리드프레임 종류에 따라서 접합 조건을 조절할 필요가 있다. 전단 강도를 평가했을 때 Bare Cu리드프레임에서 가장 우수한 값을 나타냈으나 냉각 시 발생하는 열충격에 의해 칩과 리드프레임이 분리되는 치명적인 결함을 나타냈다. Ag/Sn/Ag 샌드위치 구조를 Cu 리드프레임을 사용하는 반도체 제조 공정에 적용하기 위한 지속적인 연구를 통해 신뢰성이 확보된다면 반도체 패키지 제조 비용 감소에 크게 일조할 것으로 사료된다.
8에 나타냈다. 총 10개 시편의 강도를 평가했으며 평균 약 54 MPa로 Bare Cu 리드프레임과 접합할 때 가장 큰 강도 값을 갖고 있다. 그 다음으로 Ag도금된 Cu 리드프레임이 약 32 MPa의 전단 강도를 나타내며, Cu 도금된 Alloy 42 리드프레임에서 가장 낮은 값인 평균 약 25 MPa을 보이고 있다.

후속연구

전단 강도를 평가했을 때 Bare Cu리드프레임에서 가장 우수한 값을 나타냈으나 냉각 시 발생하는 열충격에 의해 칩과 리드프레임이 분리되는 치명적인 결함을 나타냈다. Ag/Sn/Ag 샌드위치 구조를 Cu 리드프레임을 사용하는 반도체 제조 공정에 적용하기 위한 지속적인 연구를 통해 신뢰성이 확보된다면 반도체 패키지 제조 비용 감소에 크게 일조할 것으로 사료된다.

질의응답

핵심어	질문	논문에서 추출한 답변
	널리 사용되는 고온 접합 재료는 무엇이 있는가?	대표적인 고온 접합 재료로서 Au 계 합금 솔더(solder)가 가장 널리 사용되고 있다. Au 합금은 고온 안정성 및 우수한 기계적 특성을 지니고 있기 때문에 반도체 제조 현장에서 사용되어 왔으나, 반도체 패키지 제조 원가가 높기 때문에 이를 대체하기 위한 연구가 진행되고 있다.
	현재 대표적인 저비용/친환경 고온 접합 재료는 무엇이 있는가?	이와 같은 재료들을 대체하기 위해 현재까지 저비용/친환경 고온 접합 재료에 대한 연구는 활발하게 진행되고 있다. 대표적으로 Bi 계 합금 솔더와 Zn 계 합금 솔더가 있다.9-14) 그러나 Bi 또는 Zn 계 솔더는 Au 합금 솔더나 Pb-Sn 솔더에 비해 낮은 젖음성(wettability), 낮은 열전도도(thermal conductivity)를 보이고 있기 때문에 이를 극복하기 위한 연구가 진행되고 있다.
	Au 합금과 Pb-Sn솔더는 어떤 문제로 사용이 제한되고 있는가?	Au 합금은 고온 안정성 및 우수한 기계적 특성을 지니고 있기 때문에 반도체 제조 현장에서 사용되어 왔으나, 반도체 패키지 제조 원가가 높기 때문에 이를 대체하기 위한 연구가 진행되고 있다.6-8) Au 합금과 더불어 높은 Pb 함량을 갖는 Pb-Sn솔더 또한 우수한 접합 재료 지만 환경적 문제(restriction of hazardous substances, RoHS)로 인해 사용을 제한하고있다. 이와 같은 재료들을 대체하기 위해 현재까지 저비용/친환경 고온 접합 재료에 대한 연구는 활발하게 진행되고 있다.

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표제어: PCR

동의어: Packet Collision Rate

용어 설명 출처 목록 (6)

용어 설명: PCR은 세균 특이성이 있는 primer를 이용하여 적은 수의 세균이 있을지라도 쉽게 검출할 수 있는 유용한 방법이며, 이를 이용하여 구강 내 치면세균막이나 타액에서 직접 세균을 검출할 수 있게 되었다[8].

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