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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.33 no.2, 2020년, pp.155 - 160
이영재 (광운대학교 전자재료공학과) , 구상모 (광운대학교 전자재료공학과)
Ga2O3/n-type 4H-SiC heterojunction diodes were fabricated by RF magnetron sputtering. The optical properties of Ga2O3 and electrical properties of diodes were investigated. I-V characteristics were compared with simulation data from the Atlas software. The band gap of Ga2O3 was changed from 5.01 eV ...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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고에너지 밴드갭 소재란 무엇인가? | 고에너지 밴드갭 소재는 실리콘 대비 고주파, 고전력 고온용 반도체 소자에 대한 적용이 가능한 우수한 소재이다 [1,2]. | |
탄화규소(silicon carbide)가 고온용 소자에 널리 사용된 이유는? | 탄화규소(silicon carbide)는 규소(Si)와 탄소(C)의 강한 공유결합으로 이루어진 화합물로 열적 안정성, 부식 저항성, 가벼움이 있어 고온용 소자에 널리 사용되어 왔다. SiC의 열전도율은 ~4. | |
산화갈륨(gallium oxide)은 성장조건에 따라 어떤 형태로 존재하는가? | Ga2O3의 경우 성장 조건에 따라 α, β, γ, δ, 그리고 ε-phase로 총 다섯 가지의 상이 존재한다. 이 중 β-Ga2O3는 monoclinic 구조로서 화학/열역학적으로 가장 안정된 형태로 존재한다. 또한 HVPE, MBE, RF sputter 등 여러 공법을 통해 성장 가능하다. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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