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초록
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Wireless charger, USB type-C 등의 응용에서 사용되는 MCU는 추가 공정 마스크가 작으면서 셀 사이즈가 작은 MTP 메모리가 요구된다. 기존의 double poly EEPROM 셀은 사이즈가 작지만 3~5 장 정도의 추가 공정 마스크가 요구되고, FN 터널링 방식의 single poly EEPROM 셀은 셀 사이즈가 큰 단점이 있다. 본 논문에서는 vertical PIP 커패시터를 사용한 110nm MTP 셀을 제안하였다. 제안된 MTP 셀의 erase 동작은 FG와 EG 사이의 FN 터널링을 이용하였고 프로그램 동작은 CHEI 주입 방식을 사용하므로 MTP 셀 어레이의 PW을 공유하여 MTP 셀 사이즈를 1.09㎛2으로 줄였다. 한편 USB type-C 등의 응용에서 요구되는 MTP 메모리 IP는 2.5V ~ 5.5V의 넓은 전압 범위에서 동작하는 것이 필요하다. 그런데 VPP 전하펌프의 펌핑 전류는 VCC 전압이 최소인 2.5V일 때 가장 낮은 반면, 리플전압은 VCC 전압이 5.5V일 때 크게 나타난다. 그래서 본 논문에서는 VCC detector 회로를 사용하여 ON되는 전하펌프의 개수를 제어하여 VCC가 높아지더라도 펌핑 전류를 최대 474.6㎂로 억제하므로 SPICE 모의실험을 통해 VPP 리플 전압을 0.19V 이내로 줄였다.

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MCU used in applications such as wireless chargers and USB type-C require MTP memory with a small cell size and a small additional process mask. Conventional double poly EEPROM cells are small in size, but additional processing masks of about 3 to 5 sheets are required, and FN tunneling type single ...

주제어

표/그림 (15)

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 논문에서는 커플링 커패시터로 단위 면적당 커패시턴스가 큰 vertical PIP 커패시터를 사용하여 커플링 커패시터를 구현하므로 커플링 커패시터가 차지하는 면적을 줄이고 MTP 셀 어레이의 PW을 공유하여 MTP 셀 사이즈를 1.09㎛2 으로 줄인 MTP 셀을 제안하였다.Wireless charger, USB type-C 등에 사용되는 MCU 칩의 MTP 셀로서 한 장의 추가 마스크를 사용하면서 MTP 셀 사이즈가 작으므로 대용량 MTP IP 설계에서 원가경쟁력을 확보할 수 있다.
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참고문헌 (15)

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