최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기Korean chemical engineering research = 화학공학, v.58 no.3, 2020년, pp.369 - 380
전혜준 (영남대학교 화학공학부) , 박주홍 (폴텍(주) 기술영업팀) , 블라디미르 아르테미예프 (STR그룹, STR) , 황선희 (영남대학교 화학공학부) , 송수진 (영남대학교 화학공학부) , 김나영 (영남대학교 화학공학부) , 정재학 (영남대학교 화학공학부)
Most mono-crystalline silicon ingots are manufactured by the Czochralski (Cz) process. But If there are oxygen impurities, These Si-ingot tends to show low-efficiency when it is processed to be solar cell substrate. For making single-crystal Si- ingot, We need Czochralski (Cz) process which melts mo...
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
---|---|---|
Czochralski 공정의 결정성장의 특성은 어떠한가? | Czochralski 공정의 결정성장은 기하학적 구조가 축 대칭이며, 성장하는 결정의 특성은 등방성이다. 본 연구는 완전 축 대칭으로 가정하여 전개한다. | |
단결정 실리콘으로 생산되는 웨이퍼의 결함은 어떠한 것들이 있는가? | 고순도의 단결정 실리콘의 결정성장을 이루기 위해 연구가 현저히 진행되고 있으며 결함(Vacancy, Interstitial, atc), 불순물 (Oxygen, Carbon, Nitrogen, atc)로부터 고품질 초고순도 단결정 실리콘을 필요로 한다[2-3]. 단결정 실리콘으로 생산되는 웨이퍼는 결정성장 진행 도중 결정과 융용 된 실리콘 사이(Melt-Crystal interface)영역에 존재하는 무결정결함영역(V/G(Ratio of growth rate to vertical T gradient))의 표면결정결함(COP), 전위 결함(dislocation), 산화유도적층결함(OISF-Ring)등 결함이 거의 존재하지 않는 영역을 중점으로 품질의 방항성이 좌우된다[4-6]. Cz 공정은 초고온을 유지하면서 결정을 성장시키기에 다소 공정 진행 도중 문제점 파악 및 개선이 어렵다. | |
잉곳은 어떻게 만들어지는가? | 결정질 실리콘에서 단결정 실리콘(Si) 공정의 대부분은 초크랄스키(Czochralski) 공정에 의해 성장된다. 이 공정은 도가니 회전 (Crucible rotation)과 Pulling 시스템을 통해 실리콘 용융 상태에서 실리콘 시드 결정(Seed(Crystal) rotation)과 접촉하여 단결정 실리 콘을 제조하는데 사용되어지고 있다[1]. |
Wang, C., "A Continuous Czochralski Silicon Crystal Growth System," Journal of Crystal Growth, 250(4), 209-214(2003).
Kulkarni, M. S., Holzer, J. C. and Ferry, L. W., "The Agglomeration Dynamics of Self-interstitials in Growing Czochralski Silicon Crystals", Journal of Crystal Growth, 284(3), 35-368(2005).
Vorob'ev, A., Sid'ko, A. and Kalaev, V., "Advanced Chemical Model for Analysis of cz and ds si-crystal Growth," Journal of Crystal Growth, 386(2), 226-234(2014).
Voronkov, V. V. and Flaster, R., "Intrinsic Point Defects and Impurities in Silicon Crystal Growth," J. Electrochem. Soc., 149(3), 167(2002).
Ammon, W., Dornberger, E., Oelkrug, H. and Weidner, H., "The Dependence of Bulk Defects on the Axial Temperature Gradient of Silicon Crystals During Czochralski Growth," Journal of Crystal Growth, 151, 273(1995).
Kim, J. H., "A Study on Dynamic Heat Flux for 450 mm Single Crystal Silicon Growth under Magnetic Fields," Hanyang University Master's Thesis(2007).
von Ammon, W., Friedrich, J., Muller, G., "Czochralski Growth of Silicon Crystals," T. Nishinaga, P. Rudolph, T. Kuech (Eds.), Handbook of Crystal Growth (second ed.), Elsevier, 45-104(2014).
Ammon, W. V., Gelfgat, Y., Gorbunov, L., Muehlbauer, A., Muiznieks, A., Makarov, Y., Virbulis, J. and Muller, G., "Proceedings of 6th PAMIR International Conference on Fundamental and Applied MHD," 41(2005).
Hwang, D. H., "Oxygen Precipitation Behavior Related on Point Defects in CZ Si Single Crystal," Doctor's Thesis, Dept. Material Eng., Chungnam National Univ., Daejeon, Korea(2002).
Kim, J. H., "Study of Oxygen Behavior on Single Silicon Crystal Growth in Czochralski Method," Master's Thesis, Dept. Material Eng., Sungkunkwan Univ., Seoul, Korea(2007).
Lee, J. S. and Kim, K. H., Solar Cell Engineering, Seoul, Korea: Book Publication in GREEN Energy(2007).
Sim, B. C., Kim, W. S. and Zebib, A., "Thermocapillary Convection in Liquid Bridges with Undeformable Curved Surfaces," Journal of Thermophys Heat Transfer, 16, 553-561(2002).
Sim, B. C., Kim, W. S. and Zebib, A., "Axisymmetric Thermocapillary Convection in Cylindrical Liquid Bridges and Annuli CR Mecanique," Journal of Heat Mass Transfer, 332, 473-486(2004).
Rozgonyi, G. A., Deysher, R. P. and Pearce, C. W., "Silicon Materials Science and Technology," J. Electrochem. Soc., 123, 1910 (1976).
Shockley, W., Read, W. T. Jr., "Statistics of the Recombination of Holes and Electrons," Phys. Rev., 87, 835-843(1952).
Lee, Y. R. and Jung, J. H., "Research for High Quality Ingot Production in Large Diameter Continuous Czochralski Method," Photovoltaic Research, 4(3), 124-129(2016).
Shockley, W. and Read, Jr. W. T., "Statistics of the Recombination of Holes and Electrons," Physical Review Journals, 87, 835-843(1952).
Kalaev, V. V. et al. "Calculation of Bulk Defects in CZ Si Growth: Impact of Melt Turbulent Fluctuations," Journal of Crystal Growth, 250(2), 203-208(2003).
Kakimoto, K., Eguchi, M., Watanabe, H. and Hibiya, T., "Ordered structure in Non-axisymmetric Flow of Silicon Melt Convection," Journal of Crystal Growth., 126, 435-440(1993).
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
오픈액세스 학술지에 출판된 논문
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.