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NTIS 바로가기전기전자학회논문지 = Journal of IKEEE, v.25 no.4, 2021년, pp.770 - 773
이재우 (Dept. of Electronics Engineering, Korea National University of Transportation) , 이종원 (Dept. of Electronics Engineering, Korea National University of Transportation) , 강명곤 (Dept. of Electronics Engineering, Korea National University of Transportation)
본 논문에서는 tapering과 ferroelectric(HfO2)구조가 적용된 3D NAND flash memory의 프로그램 이후 시간경과에 따른 retention특징을 분석했다. Nitride에 trap된 전자는 시간이 지남에 따라 lateral charge migration이 발생한다. 프로그램 이후 시간이 지남에 따라 trap된 전자가 tapering에 의해 두꺼워진 채널 쪽으로 lateral charge migration이 더 많이 발생하는 것을 확인했다. 또한 Oxide-Nitride-Ferroelectric (ONF) 구조는 polarization에 의해 lateral charge migration이 완화되기 때문에 기존 Oxide-Nitride-Oxide (ONO) 구조 보다 문턱전압(Vth)의 변화량이 줄어든다.
In this paper, the retention characteristics of 3D NAND flash memory applied with tapering and ferroelectric (HfO2) structure were analyzed after programming operation. Electrons trapped in nitride are affected by lateral charge migration over time. It was confirmed that more lateral charge migratio...
M. Kang, et al. "Improving read disturb characteristics by using double common source line and dummy switch architecture in multi level cell nand flash memory with low power consumption," Japanese Journal of Applied Physics, Vol50m NO.4S, 2011. DOI: 10.7567/JJAP.50.04DD03
Y. Kim, et al. "Three-dimensional NAND flash architecture design based on single-crystalline stacked array," IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.59, No.1, pp.35-45, 2011. DOI: 10.1109/TED.2011.2170841
Y. Kim, and M. Kang, "Down-coupling phenomenon of floating channel in 3D NAND flash memory," IEEE Electron Device Letters Vol.37, No.12, pp. 1566-1569, 2016. DOI: 10.1109/LED.2016.2619903
K.-T. Park, et al. "Three-dimensional 128 Gb MLC vertical NAND flash memory with 24-WL stacked layers and 50 MB/s high-speed programming," IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol.50, No.1, pp.204-213, 2014. DOI: 10.1109/JSSC.2014.2352293
K.-T. Kim, et al. "The effects of taper -angle on the electrical characteristics of vertical NAND flash memories." IEEE Electron Device Letters, Vol.38, No.10, pp.1375-1378, 2017. DOI: 10.1109/LED.2017.2747631
J.-K. Jeong, et al. "Charge Migration Analysis of 3D SONOS NAND Flash Memory Using Test Pattern, JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE, Vol.20, No.2, pp.151-157, 2020.
M. Kang, and Y. Kim, "Natural local self-oosting effect in 3D NAND flash memory," IEEE Electron Device Letters, Vol.38, No.9, pp. 236-1239, 2017. DOI: 10.1109/LED.2017.2736541
K. Florent, et al. "Reliability study of ferroelectric Al: HfO 2 thin films for DRAM and NAND applications," IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.64, No.10, pp.4091-4098, 2017. DOI: 10.1109/TED.2017.2742549
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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