![Figure 1. The transfer characteristics of AlGaN/GaN recessed MISHFETs in (a) linear and (b) logarithmic scale before and after 5 MeV proton irradiation and thermal annealing. (insertion in (a)) Replotted transfer characteristics at V<sub>D</sub> = 10 V on the x-axis of V<sub>G</sub>-V<sub>th</sub> [17].](http://ocean.kisti.re.kr/downfile/bibText/theise/BDCGBM/2021/v2n1/BDCGBM_2021_v2n1_119_f0001.png "Figure 1. The transfer characteristics of AlGaN/GaN recessed MISHFETs in (a) linear and (b) logarithmic scale before and after 5 MeV proton irradiation and thermal annealing. (insertion in (a)) Replotted transfer characteristics at V<sub>D</sub> = 10 V on the x-axis of V<sub>G</sub>-V<sub>th</sub> [17].")
![Figure 2. The transfer characteristics of AlGaN/GaN MISHEMTs before and after (a) 1, (b) 1,5 and (c) 2 MeV proton irradiation. V<sub>D</sub> = 10 V [19].](http://ocean.kisti.re.kr/downfile/bibText/theise/BDCGBM/2021/v2n1/BDCGBM_2021_v2n1_119_f0002.png "Figure 2. The transfer characteristics of AlGaN/GaN MISHEMTs before and after (a) 1, (b) 1,5 and (c) 2 MeV proton irradiation. V<sub>D</sub> = 10 V [19].")
![Figure 3. (a) The linear and (b) logarithmic scale of transfer characteristics of normally-off pAlGaN gate AlGaN/GaN HEMTs before and after 5 MeV proton irradiation. V<sub>D</sub> = 10 V [22].](http://ocean.kisti.re.kr/downfile/bibText/theise/BDCGBM/2021/v2n1/BDCGBM_2021_v2n1_119_f0004.png "Figure 3. (a) The linear and (b) logarithmic scale of transfer characteristics of normally-off pAlGaN gate AlGaN/GaN HEMTs before and after 5 MeV proton irradiation. V<sub>D</sub> = 10 V [22].")
![Figure 4. CET maps in AlGaN/GaN recessed MISHFETs (a) before and (b) after 5 MeV proton irradiation [26].](http://ocean.kisti.re.kr/downfile/bibText/theise/BDCGBM/2021/v2n1/BDCGBM_2021_v2n1_119_f0003.png "Figure 4. CET maps in AlGaN/GaN recessed MISHFETs (a) before and (b) after 5 MeV proton irradiation [26].")
![Figure 5. (a) CL spectra of AlGaN/GaN recessed MISHFETs before and after proton irradiation. (b) SEM image of the analyzed device. [27].](http://ocean.kisti.re.kr/downfile/bibText/theise/BDCGBM/2021/v2n1/BDCGBM_2021_v2n1_119_f0005.png "Figure 5. (a) CL spectra of AlGaN/GaN recessed MISHFETs before and after proton irradiation. (b) SEM image of the analyzed device. [27].")
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Proton Irradiation Effects on GaN-based devices
Journal of semiconductor engineering, v.2 no.1, 2021년, pp.119 - 124
Keum, Dongmin (Metamaterial Electronic Device Research Center, Hongik University) , Kim, Hyungtak (School of Electrical and Electronic Engineering, Hongik University) , Cha, Ho-Young (School of Electrical and Electronic Engineering, Hongik University)
Abstract
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Along with the needs for feasibility in the field of space applications, interests in radiation-hardened electronics is growing rapidly. Gallium nitride (GaN)-based devices have been widely researched so far owing to superb radiation resistance. Among them, research on the most abundant protons in l...
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참고문헌 (27)
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