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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.35 no.6, 2022년, pp.576 - 580
연지영 (충북대학교 전자공학부) , 이광선 (충북대학교 전자공학부) , 윤성수 (충북대학교 전자공학부) , 연주원 (충북대학교 전자공학부) , 배학열 (전북대학교 전자공학부) , 박준영 (충북대학교 전자공학부)
Semiconductor devices have evolved from 2D planar FETs to 3D bulk FinFETs, with aggressive device scaling. Bulk FinFETs make it possible to suppress short-channel effects. In addition, the use of low-k dielectric materials as a vacuum gate spacer have been suggested to improve the AC characteristics...
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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