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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.36 no.5, 2023년, pp.500 - 504
김경호 (한국세라믹기술원 반도체소재센터) , 이희수 (부산대학교 재료공학과) , 신윤지 (한국세라믹기술원 반도체소재센터) , 정성민 (한국세라믹기술원 반도체소재센터) , 배시영 (한국세라믹기술원 반도체소재센터)
In this study, the heteroepitaxial thin film growth of β-Ga2O3 was studied according to the position of the susceptor in mist-CVD. The position of the susceptor and substrate was moved step by step from the center of the hot zone to the inlet of mist in the range of 0~50 mm. It was confirmed ...
S. J. Pearton, J. Yang, P. H. Cary, F. Ren, J. Kim, M. J. Tadjer,?and M. A. Mastro, Appl. Phys. Rev., 5, 011301 (2018).?doi: https://doi.org/10.1063/1.5006941
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M. T. Ha, K. H. Kim, Y. J. Shin, S. M. Jeong, and S. Y. Bae,?Adv. Mater. Interfaces, 8, 2001895 (2021).?doi: https://doi.org/10.1002/admi.202001895
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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