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NTIS 바로가기한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology, v.34 no.2, 2024년, pp.41 - 47
나준혁 (동의대학교 신소재공학과) , 강민규 (동의대학교 신소재공학과) , 이기욱 (동의대학교 신소재공학과) , 최예진 (동의대학교 신소재공학과) , 박미선 (동의대학교 신소재공학과) , 정광희 (동의대학교 신소재공학과) , 이규도 (KC 인더스트리얼) , 김우연 (KC 인더스트리얼) , 이원재 (동의대학교 신소재공학과)
In this study, the resistance characteristics of semi-insulating SiC single crystals grown using the PVT method were investigated, considering the purity level of SiC source powders used in PVT growth and the cooling procedure after crystal growth. Two β-SiC powders with different purities we...
https://www.powerwaywafer.com/ko/gan-mosfet-structure.html.
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