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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers, v.37 no.3, 2024년, pp.332 - 336
김예진 (광운대학교 전자재료공학과) , 박승현 (광운대학교 전자재료공학과) , 이태희 (광운대학교 전자재료공학과) , 최지수 (광운대학교 전자재료공학과) , 박세림 (광운대학교 전자재료공학과) , 이건희 (광운대학교 전자재료공학과) , 오종민 (광운대학교 전자재료공학과) , 신원호 (광운대학교 전자재료공학과) , 구상모 (광운대학교 전자재료공학과)
High-energy bandgap material silicon carbide (SiC) is gaining attention as a next-generation power semiconductor material, and in particular, SiC-based MOSFETs are developed as representative power semiconductors to increase the breakdown voltage (BV) of conventional planar structures. However, as t...
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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