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NTIS 바로가기Japanese journal of applied physics. Part 1, Regular papers, short notes and review papers, v.38 no.12A, 1999년, pp.6640 - 6644
Anan, Takayoshi , Nishi, Kenichi , Tokutome, Keiichi , Sugou, Shigeo
A band line-up of InAs0.45P0.55/In0.53(AlxGa1-x)0.47As heterojunction was investigated. Type-I and type-II band line-ups were obtained according to the Al relative composition x of InAlGaAs. This band line-up variation can be explained by assuming the conduction band discontinuity of InAsP/InP to be...
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