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NTIS 바로가기Japanese journal of applied physics. Part 1, Regular papers, short notes and review papers, v.41 no.6B, 2002년, pp.4222 - 4227
Kim, Sang-Kon , Oh, Hye-Keun
In this study, lithography processes were modeled and simulated for the optimized parameters of 365 nm, 248 nm, and 193 nm resists. Also, sensitivity of those parameters for the critical dimension (CD) and side wall angle of simulated profiles was analyzed using the response surface methodology (RSM...
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