$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

Hydrogen-induced program threshold voltage degradation analysis in SONOS wafer

Solid-state electronics, v.116, 2016년, pp.60 - 64  

Lin, Q. ,  Zhao, C. ,  Sheng, N.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

This paper studies the hydrogen-induced program state threshold voltage degradation in SONOS wafers, which ultimately impacts wafer sort test yield. During wafer sort step, all individualintegrated circuits noted as dieare tested for functional defects by applying specialtest patternsto them. The pr...

주제어

참고문헌 (14)

  1. Cypress Semiconduct Ramkumar 1 2013 Cypress SONOS technology 

  2. Ramkumar, Krishnaswamy, Bo, Jin. Advantages of SONOS memory for embedded flash technology. EETimes-Asia, Copyright ⓒ 2011 eMedia Asia Ltd. 

  3. Nanoscale Res Lett Meena 9 526 2014 10.1186/1556-276X-9-526 Overview of emerging nonvolatile memory technologies 

  4. IEEE Circ Dev Mag White 16 4 22 2000 10.1109/101.857747 On the go with SONOS 

  5. Microelectron Reliab Hsu 47 4 606 2007 10.1016/j.microrel.2007.01.027 Electrical characterization of metal-oxide-high-k dielectric-oxide-semiconductor (MOHOS) structures for memory applications 

  6. Watanabe 47 1994 Symp VLSI tech dig tech papers, June 7-9 1994, Honolulu Scaling of tunnel oxide thickness for flash EEPROMs realizing stress-induced leakage current reduction 

  7. IEEE Trans Electron Dev ED-24 Chen 584 1997 Threshold-alterable Si-gate MOS devices 

  8. J Korean Phys Soc Noh 42 S1412 2003 Mechanisms of hydrogen-induced degradation in ferroelectric thin films for ferroelectric random access memory applications 

  9. J Vac Sci Technol A Kapoor 1 2 600 1983 10.1116/1.571966 Hydrogen-related memory traps in thin silicon nitride films 

  10. 10.1109/IEDM.2009.5424414 Vianello et al. New insight on the charge trapping mechanisms of SiN-based memory by atomistic simulations and electrical modeling. IEDM; 2009. 

  11. Microelectron Reliab Fleetwood 42 4-5 523 2002 10.1016/S0026-2714(02)00019-7 Effects of hydrogen transport and reactions on microelectronics radiation response and reliability 

  12. IEEE Trans Device Mater Reliab Lee 4 1 2004 10.1109/TDMR.2004.824360 Effects of interface trap generation and annihilation on the data retention characteristics of flash memory cells 

  13. Shih Y-H, Lue H-T, Hsieh K-Y, Liu R, Lu C-Y. A novel 2-bit/cell nitride storage flash memory with greater than 1M P/E-cycle endurance. IEDM tech dig; 2004. p. 881-4. 

  14. IEEE Trans Electron Dev Yang 54 6 1360 2007 10.1109/TED.2007.895242 Modeling and characterization of hydrogen-induced charge loss in nitride-trapping memory 

섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로