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NTIS 바로가기Journal of nanoscience and nanotechnology, v.16 no.5, 2016년, pp.4851 - 4855
Choi, Pyungho , Kim, Hyunjin , Kim, Sangsub , Kim, Soonkon , Javadi, Reza , Park, Hyoungsun , Choi, Byoungdeog
In this study, pulse frequency and reverse bias voltage is modified in charge pumping and advanced technique is presented to extract oxide trap profile in hot carrier stressed thin gate oxide metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs). Carrier trapping-detrapping in a gate oxide wa...
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