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Effect of double-stacked active layer on stability of Si-IZO thin-film transistor
Microelectronic engineering, v.178, 2017년, pp.221 - 224
Lim, Yooseong (Corresponding author at: Department of Electronic Engineering, Pusan National University, Busan 609-735, Republic of Korea.) , Hwang, Namgyung , Yi, Moonsuk
Abstract
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We fabricated double-active layer amorphous Si-doped indium zinc oxide thin-film transistors. The electrical properties of devices with various thicknesses of the layer with lower SiO2 content were investigated. Compared with the single layer, the threshold voltage of the double layer was close to 0...
주제어
참고문헌 (15)
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연구과제 타임라인
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원문 URL 링크
- DOI : 10.1016/j.mee.2017.05.014
- Elsevier : 저널 > 논문
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