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NTIS 바로가기Journal of nanoscience and nanotechnology, v.17 no.10, 2017년, pp.7423 - 7428
Kim, Yo-Han (Department of Chemical Engineering, Myongji University) , Jung, Hunsang , Lee, Kyungmin (Department of Chemical Engineering, Myongji University) , Yoon, Tae-Sik , Lee, Hyun Ho (Department of Chemical Engineering, Myongji University)
High-k materials for gate dielectric layers, such as hafnium oxide (HfO2), have been developed for decades to increase the integration density of complementary-metal-oxide-semiconductor (cMOS) devices. In this study, we demonstrate a thin film transistor (TFT) device with solution processed non-stoi...
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