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NTIS 바로가기Japanese journal of applied physics, v.49 no.4R, 2010년, pp.041002 -
Her, Jin-Cherl , Cho, Hyun-Jun , Yoo, Chan-Sei , Cha, Ho-Young , Oh, Jae-Eung , Seo, Kwang-Seok
The surface of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) tends to be easily damaged during device fabrication, especially during high-temperature annealing. In order to resolve this problem, a prepassivation process was developed using remote-mode plasma-enhanced chemical vapor depositio...
Appl. Phys. Lett. Khan 65 1121 1994 10.1063/1.112116
IEEE Electron Device Lett. Wu 25 117 2004 10.1109/LED.2003.822667
J. Vac. Sci. Technol. B Hasegawa 21 1844 2003 10.1116/1.1589520
IEICE Electron. Express Shiojima 1 160 2004 10.1587/elex.1.160
Jpn. J. Appl. Phys. Shiojima 43 100 2004 10.1143/JJAP.43.100
Appl. Surf. Sci. Hashizume 234 387 2004 10.1016/j.apsusc.2004.05.091
IEEE Trans. Electron Devices Thompson 51 292 2004 10.1109/TED.2003.822036
J. Vac. Sci. Technol. B Mohammed 25 324 2007 10.1116/1.2437161
IEEE Trans. Electron Devices Saito 52 159 2005 10.1109/TED.2004.842710
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