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Focus Ring 재질과 두께변경에 따른 Rnit non uniformity 평가
Rnit non uniformity evaluation by materials and thickness of focus ring 원문보기

대한전기학회 2005년도 제36회 하계학술대회 논문집 C, 2005 July 18, 2005년, pp.2153 - 2155  

차성호 (한양대학교 전기공학과) ,  정진욱 (한양대학교 전기공학과)

초록
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SF6 &NF3 chemistry를 사용하여 W bitline process 조건에서 plasma confinement 및 gas & radical의 flow에 영향을 미치는 focus ring 재질과 두께변경을 하여 Rnit non uniformity 평가한다.

AI 본문요약
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* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.

제안 방법

  • Focus Ring 재질 변경(Ceramic vs Quartz) 및 두께 변경(5mm vs 18nam)에 따른 Real topology 웨이퍼의 Vertical Profile (H/M Nitride/W/Ti/TiN), Cell/Peri 간식가Micro-loading, FICD, 그리고 Rnit Non-uniformity# 확인하였다.
  • Focus 재질 변경 및 두께 변경에 따른 최적 조건을 기준으로 Rnit의 변화에 영향을 미치는C12/&2 Gas Flow 양에 따른 미세 Tuning을 진행하여 Rnit 및 Non unifor mity 및 EICD 값을 확인 하였다.
  • 득히 NF3 Chemistry Baseline 조건에서 Rnit Noniniformity가 불량으로 인하여 Set-up이 되지 않은바 Hardware Modification통한 Bitline Recipe Tuning을 진행하였다. SF6 Chemistry Base 조건에서 Plasma Confinement 및 Gas & Radical의 Flow에 영향을 미치는Focus Ring의 재질및 두께 변경에 따른 Rnit Non-uniformly 를 평가한다.
  • 득히 NF3 Chemistry Baseline 조건에서 Rnit Noniniformity가 불량으로 인하여 Set-up이 되지 않은바 Hardware Modification통한 Bitline Recipe Tuning을 진행하였다. SF6 Chemistry Base 조건에서 Plasma Confinement 및 Gas & Radical의 Flow에 영향을 미치는Focus Ring의 재질및 두께 변경에 따른 Rnit Non-uniformly 를 평가한다.
  • 위 실험을 통해 Ceramic Focus Ring (18mm)가Vertical Profile, Rnit Non-uniformity, CD Bias, 그리고 Top Vie w 상의 볼록이 Defect/} 발생하지 않아 가장 적정하였다.
  • 하게 나타났다. 이를 개선하기 위하여 Ti/TiN의 Undercut 발생을 고려하여 Electrode Temperature를 증가하기 보다는 Passivation Gas인 N2/C12 Gas의 유량을 감소하여 진행하였다.

대상 데이터

  • 실험에 사용된 Wafer는 Prime Chip과 동일한 Film S tack 을사용하였다.
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