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제안 방법
- 특성을 비교하였다. SiO2 박막의 표면 결합상태를 고잘하기 위하여 XPS(X-Ray Photoelectrons Spectroscopy) 분석을 실시하였다.
- 기존의 유해가스 SiH4 대신에 TEOS를 사용하여 SiO2 박막을 성장시키고, 빠른 성장 속도와 좋은 특성의 박막을 성장시키기 위하여 반응 가스 6를 더하여 박막을 성장시키고 특성을 비교하였다. SiO2 박막의 표면 결합상태를 고잘하기 위하여 XPS(X-Ray Photoelectrons Spectroscopy) 분석을 실시하였다.
- 그림 1과 2는 XPS Wide scan 분석을 실시한 것이며 Si2p, Ols등의 피크를 확인함으로 冊 SiO2 박막의 주된 구성원 소로서 Si와 O가 존재한다는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 화학 결합 상태분석을 위하여 성분 원소의 특성 피 m에 해당하는 Si2p, Ols 피크들에 대한 Narrow scan 분석을 실시하였고, 이는 Si2p c이■이evel의 에너지 상태를 보여준다. SiO2 박막은 Si2p와 Ols 피크가 각각 2.
- 본 실험에서는 TFT 응용을 위한 SiCh성장에 관한 연구로서 기존의 PECVD를 이용한 실험에서 유해가스 SiH4 대신에 유기 사일렌 반응물질인 TEOSS 이용하여 APCVD 법으로 증착시키고 반응 가스 6를 첨가했을 때와의 특성 비교를 통해 누설전류의 원인으로 보이는 카본기 같은 Defects를 줄였다.
대상 데이터
- 반응원료인 TEOS(98%)는 버블러에 담겨 항상 70〜75°C 사이를 유지하도록 하였다. 실험에 사용된 기체는 고순도。2 Gas와 고순도 N2 Gas이고, 이중 산소는 챔버 내에서 산화를 활성화시키기 위해 사용하였으며, 질소는 버블러에 들어있는 TEOS를 챔버로 유입시키는 운반기체와 초기 챔버 Purging 및 대기압 조절을 위한 가스로 사용되었다.
- 잼버로 구성되어있다. 실험에 사용된 TEOS물질은 에틸기가 포함되어 있는 Si 소스로서 田 부식성, 비열 분해성으로 취급이 용이하고, 고분자로서 균일성 향상이 가능하다. 그리고 lum 이하의 단 분산 입자들을 합성하는데 있어 유도물질로서 용이한 물질이며 Step Coverage가 좋아 절연막으로서 활용성이 다.
이론/모형
- 산화막 증착을 위해 APCVD법을 사용하였으며, 반응장치는 반응원료의 공급 부분과 반응이 일어나서 증착이 이루어지는 잼버로 구성되어있다. 실험에 사용된 TEOS물질은 에틸기가 포함되어 있는 Si 소스로서 田 부식성, 비열 분해성으로 취급이 용이하고, 고분자로서 균일성 향상이 가능하다.
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