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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국과학기술원 Korea Advanced Institute of Science and Technology |
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연구책임자 | 천성순 |
참여연구자 | 박종욱 , 박영욱 , 강창진 , 김용천 , 김동원 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1990-05 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학기술원 Korea Advanced Institute of Science and Technology |
등록번호 | TRKO200200002962 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 저압화학증착법.텅스텐박막.제한두께현상.박막응력.화학증착반응기구.전기비저항.미세공공.화학증착속도식.LPCVD.Tungsten film.Self limiting thickness.Film stress deposition mechanism.Resistivity.Pore.Deposition rate. |
실리콘 환원반응에 의한 텅스텐 화학증착의 제한두께현상은 wF의 Polymerizing network 형성에 의한 Blocking에 의해 발생되며, 종착된 박막의 전개저항은 40-11μΩ-cm의 값을 갖는다. 수소 환원과 SiH₄환원반응에 의해 각각 증착된 증착층은 미세한 Pore를 갖고있으며, 인장응력을 갖고있다. 증착총의 전기저항은 10μΩ-cm정도이며 이 저항값은 두께의 감소에 따라 증가한다. SiH₄환원반응시 SiH₄/wF(low 6)의 입력비는 결정구조와 응력 및 전기저항에 큰 영향을 미친다. 수소환원반응에서의 화학증착속도는
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