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NTIS 바로가기한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집 Vol.11, 2010 June 16, 2010년, pp.389 - 389
김권제 (동아대학교 나노공학과) , 양창헌 (동아대학교 나노공학과) , 권영수 (동아대학교 전기공학과) , 신훈규 (포항공과대학교)
In this paper, an investigation of the benefits of gate oxide for 8" the manufacturing of Trench MOSFETs and its impact on device performance is presented. Layout dimensions of trench power MOSFETs have been continuously reduced in order to decrease the specific on-resistance, maintaining equal vert...
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