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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1995-0021105 (1995-07-18) |
공개번호 | 10-1997-0008379 (1997-02-24) |
등록번호 | 10-0165413-0000 (1998-09-16) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019950021105 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (1995-07-18) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 패턴 에칭에 관한 것으로서, 본 발명에 따르면, 에칭액에 대하여 불용성인 금속을 전처리가 끝난 소재에 피복시키는 도금막 형성 단계, 상기 도금막에 감광성 수지를 도포하는 감광막 형성 단계, 상기의 감광막을 소정 패턴의 마스크로 덮고 노광시키는 단계, 상기 노광된 감광막에 소정의 패턴을 형성하는 현상 단계, 상기 현상 단계에서 형성된 소정 패턴의 하부에 있는 도금막 이외의 부분을 박리하는 도금막 패턴 형성 단계, 상기 현상 단계에서 형성된 소정 패턴의 감광막을 완전히 제거하는 감광막 박리 단계, 상기 도금막 패턴 형성 단계
에칭액에 대하여 불용성인 금속을 전처리가 끝난 소재에 피복시키는 도금막 형성 단계, 상기 도금막에 감광성 수지를 도포하는 감광막 형성 단계, 상기의 감광막을 소정 패턴의 마스크로 덮고 노광시키는 노광 단계, 상기 노광된 감광막을 소정의 패턴으로 가공하는 현상 단계, 상기 현상 단계에서 형성된 소정 패턴의 하부에 있는 도금막 이외의 부분을 박리하는 도금막 패턴 형성 단계, 상기 현상 단계에서 형성된 소정 패턴의 감광막을 완전히 제거하는 감광막 박리 단계, 상기 도금막 패턴 형성 단계에서 형성된 소정 패턴에 따라 상기의 소재를 식각시키
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