초록

본 발명은 포토레지스트 현상시간 조절을 통한 미세패턴 형성방볍에 관한 것으로, 특히 포토레지스트를 노광한 후 현상시, 패턴에 주사된 광에 의해 형성되는 회절패턴의 위치가 상기 위치에서의 광세기를 측정한 다음, 상기 측정된 결과를 근거로 광세기에 다른 패턴의 형성상태 정보가 미리 입력된 작동센서에 의해 자동으로 현상이 정지되도록 함으로써 원하는 임계크기의 미세패턴을 용이하게 형성할 수 있게 한다.

대표청구항

웨이퍼 상부에 포토레지스트를 도포하는 단계와, 상기 포토레지스트를 노광하는 단계와, 상기 노광된 포토레지스트를 식각하여 현상공정을 실시하는 단계와, 상기 현상공정 진행중 형성되는 포토레지스트 패턴 상부에 단색광을 주사하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴에 주사된 단색광에 의해 형성되는 회절무늬를 감지하는 단계와, 상기 감지된 회절무늬의 위치 및 상기 각 위치에서의 광세기를 정보를근거로 별도의 구비된 작동센서에 의해 현상시간을 조절하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 현상시간 조절을 통한 미세패턴 형성방법.

웨이퍼 상부에 포토레지스트를 도포하는 단계와, 상기 포토레지스트를 노광하는 단계와, 상기 노광된 포토레지스트를 식각하여 현상공정을 실시하는 단계와, 상기 현상공정 진행중 형성되는 포토레지스트 패턴 상부에 단색광을 주사하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴에 주사된 단색광에 의해 형성되는 회절무늬를 감지하는 단계와, 상기 감지된 회절무늬의 위치 및 상기 각 위치에서의 광세기를 정보를근거로 별도의 구비된 작동센서에 의해 현상시간을 조절하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 현상시간 조절을 통한 미세패턴 형성방법.