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[한국특허] 웨이퍼 세정 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/304
출원번호 10-1997-0030087 (1997-06-30)
공개번호 10-1999-0005869 (1999-01-25)
DOI http://doi.org/10.8080/1019970030087
발명자 / 주소
  • 김학묵 / 경기도 이천시 대월면 사동리 ***-* 현대아파트 ***-****
  • 임성수 / 서울특별시 강동구 천호동 ***-***
출원인 / 주소
  • 주식회사 하이닉스반도체 / 경기 이천시 부발읍 아미리 산***-*
대리인 / 주소
  • 신영무; 최승민 (SHIN, Young Moo)
  • 서울 중구 순화동 *-*** 에이스타워 *층; 서울 중구 순화동 *-*** 에이스타워 *층
심사진행상태 취하(심사미청구)
법적상태 취하

초록

1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야본 발명은 웨이퍼 세정 방법에 관한 것임.2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제콘택 홀 내부의 자연산화막을 제거하기 위해 완충 식각 용액을 사용하여 웨이퍼를 식각하는 경우 많은 파티클이 발생하고 식각 균일성이 저하되는 문제점을 해결하기 위함.3. 발명의 해결 방법의 요지식각 완충 용액을 이용한 세정 공정을 실시하기 전에 피란하 세정 공정을 실시하여 파티클의 발생을 억제하고 식각 균일성을 향상시킬 수 있음.

대표청구항

피란하 세정 공정을 실시하여 웨이퍼 표면의 유기물 및 무기물을 제거하는 단계와, 상기 웨이퍼 표면에 잔류하는 유기물 및 무기물을 제거하기 위해 1차 순수 세정을 실시하는 단계와, 산화막을 제거하기 위해 상기 웨이퍼를 식각 용액에 디핑하는 단계와, 상기 웨이퍼 표면에 잔류하는 산화막을 제거하기 위해 2차 순수 세정을 실시하는 단계와, 상기 웨이퍼를 최종 세정하는 단계와, 상기 웨이퍼를 건조하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 방법.

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