[특허]강유전체 캐패시터 상부에 하프늄 산화막을 구비하는강유전체 메모리 소자

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[한국특허] 강유전체 캐패시터 상부에 하프늄 산화막을 구비하는강유전체 메모리 소자 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)	H01L-027/105
출원번호	10-2000-0044386 (2000-07-31)
공개번호	10-2002-0011009 (2002-02-07)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020000044386
발명자 / 주소	이창구 / 경기도안양시만안구석수동-상남빌라라동**호 임찬 / 경기도이천시대월면사동리현대차아파트*-**
출원인 / 주소	주식회사 하이닉스반도체 / 경기 이천시 부발읍 아미리 산**-
대리인 / 주소	특허법인 신성 (Shinsung Patent Firm) 서울 송파구 가락동 *-번지 타워 *호
심사청구여부	있음 (2003-04-07)
심사진행상태	거절결정(일반)
법적상태	거절

초록

본 발명은 강유전체 캐패시터의 열화를 방지할 수 있는 강유전체 메모리 소자에 관한 것으로, 반도체 기판 상부에 형성된 하부전극, 강유전체막 및 상부전극을 이루어지는 강유전체 캐패시터 및 상기 강유전체 캐패시터를 덮는 HfO2막을 포함하는 강유전체 메모리 소자를 제공한다.

대표청구항

강유전체 메모리 소자에 있어서,반도체 기판 상부에 형성된 하부전극, 강유전체막 및 상부전극을 이루어지는 강유전체 캐패시터; 및상기 강유전체 캐패시터를 덮는 HfO2막을 포함하는 강유전체 메모리 소자.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (2)

[미국] Chemical mechanical polishing of FeRAM capacitors | Kirlin Peter S., Van Buskirk Peter C.
상세보기
[미국] Ferroelectric based memory devices utilizing hydrogen barriers and getters | Evans, Jr. Joseph T.
상세보기

이 특허를 인용한 특허 (3)

[한국] 반도체 장치의 캐패시터 및 그 제조방법 | 이기정
상세보기
[한국] 반도체 소자의 하프늄 산화막 캐패시터 형성방법 | 오훈정, 이종민
상세보기
[한국] 하프늄산화물 캐패시터의 제조 방법 | 김경민, 이종민, 오훈정
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특허 원문 보기

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IPC 상위 출원인

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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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