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[한국특허] 플라즈마 및/또는 열 처리를 사용하여 산화하프늄 기반 강유전체 재료의 성능을 개선하기 위한 방법들 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/02
  • H01L-021/324
출원번호 10-2020-7007859 (2020-03-17)
공개번호 10-2020-0033980 (2020-03-30)
등록번호 10-2658746-0000 (2024-04-15)
우선권정보 미국(US) 62/547,360 (2017-08-18);미국(US) 62/593,530 (2017-12-01);미국(US) 16/052,963 (2018-08-02)
국제출원번호 PCT/US2018/045771 (2018-08-08)
국제공개번호 WO 2019/036252 (2019-02-21)
번역문제출일자 2020-03-17
DOI http://doi.org/10.8080/1020207007859
발명자 / 주소
  • 윤, 형석 알렉산더 / 미국, ***** 캘리포니아, 산 호세, 햄턴 드라이브 ****
  • 주, 종웨이 / 미국, ***** 캘리포니아, 서니베일, 토파즈 테라스 ***
  • 최, 환 성 / 미국, ***** 캘리포니아, 올버니, 캐인스 애비뉴 *** ***호
출원인 / 주소
  • 램 리써치 코포레이션 / 미국 ***** 캘리포니아주 프레몬트 쿠싱 파크웨이 ****
대리인 / 주소
  • 특허법인인벤싱크
심사청구여부 있음 (2021-07-29)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

기판 프로세싱 시스템에서 강유전체 산화하프늄 (HfO2) 을 형성하는 방법은 기판 프로세싱 시스템의 프로세싱 챔버 내에 기판을 배치하는 단계, 기판 상에 HfO2 층을 증착하는 단계, HfO2 층의 플라즈마 처리를 수행하는 단계, 및 강유전체 산화하프늄 (HfO2) 을 형성하기 위해 HfO2 층을 어닐링 (annealing) 하는 단계를 포함한다.

대표청구항

기판 프로세싱 시스템에서 강유전체 산화하프늄 (HfO2) 을 형성하는 방법에 있어서, 상기 기판 프로세싱 시스템의 프로세싱 챔버 내에 하단 전극을 포함하는 기판을 배치하는 단계;상기 기판의 상기 하단 전극 상에 실리콘 도핑된 HfO2 층을 증착하는 단계; 상기 HfO2 층의 플라즈마 처리를 수행하는 단계; 상기 HfO2 층 상에 상단 전극을 증착하는 단계; 및강유전체 산화하프늄 (HfO2) 을 형성하기 위해 상기 HfO2 층을 어닐링 (annealing) 하는 단계를 포함하는, 강유전체 산화하프늄 (HfO2) 형성 방법.

이 특허에 인용된 특허 (7)

  1. [한국] 유전체 물질의 플라즈마 처리 | 무쑤크리쉬난, 산카르, 샤랑파니, 라훌, 고야니, 테잘, 나완카르, 프라빈, 케이., 커, 쉬레야스, 에스., 아메드, 칼레드, 제트., 마,이
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  2. [한국] 게이트 유전층의 높은-ｋ 질화에서의 질소 프로파일엔지니어링 | 무쑤크리쉬난, 산카르, 샤랑파니, 라훌, 고야니, 테잘, 나완카르, 프라빈 케이., 커, 쉬레야스 에스., 마이, 콘티, 기우세피나 알.
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  3. [한국] 반도체 집적회로장치 | 도노무라 오사무, 미키 히로시, 세키구치 토모코, 다케다 켄이치
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  4. [한국] 게이트 스택 구조물에 대한 연속 처리 클러스터링 방법 | 츄아, 타이 쳉, 올젠, 크리스토퍼 신, 크자르닉, 코리, 콘티, 지유세피나
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  5. [한국] 메모리 애플리케이션들을 위한 하프늄 및 지르코늄 산화물들의 원자층 증착 | 왕 윤, 고팔 비드윳, 하심 임란, 프라마니크 디판카르, 치앙 토니
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  6. [한국] 고유전층을 포함하는 반도체장치 및 그 제조 방법 | 이승미, 장세억, 지연혁, 김형철
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  7. [한국] 강유전성 메모리 셀 형성 방법들 및 관련 반도체 디바이스 구조들 | 타오, 치안, 록클레인, 매튜 엔., 쿡, 베쓰 알., 라마스와미, 디. 브이. 니르말
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이 특허를 인용한 특허 (1)

  1. [한국] 강유전체 박막의 제조방법 및 이에 의해 제조된 강유전체 박막 | 김시준, 김효정, 유정규, 김영인
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