[특허]하프늄 산화막 형성용 전구체 및 상기 전구체를 이용한하프늄 산화막의 형성방법

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[한국특허] 하프늄 산화막 형성용 전구체 및 상기 전구체를 이용한하프늄 산화막의 형성방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)	H01L-027/108 H01L-021/336 H01L-021/31
출원번호	10-2004-0085807 (2004-10-26)
공개번호	10-2004-0103821 (2004-12-09)
등록번호	10-0506098-0000 (2005-07-27)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020040085807
발명자 / 주소	이정현 / 경기 수원시 영통구 영통동 동아아파트 *-* 민요셉 / 서울 동작구 흑석동 번지 /* 조영진 / 인천광역시 부평구 산곡동 -* 삼보아파트 가동 ***호
출원인 / 주소	삼성전자주식회사 / 경기도 수원시 영통구 매탄동 ***
대리인 / 주소	리앤목특허법인; 이해영 (Y.P.LEE, MOCK&PARTNERS) 서울 서초구 서초동***-번지 고려빌딩(리앤목 특허법인); 서울 서초구 서초동***-(리앤목 특허법인)
심사청구여부	있음 (2004-10-26)
심사진행상태	등록결정(일반)
법적상태	소멸

초록

본 발명은 하프늄 산화막 형성용 전구체 및 상기 전구체를 이용한 하프늄 산화막의 형성방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 전기적 특성을 개선하면서 저온증착이 가능하고, 증착속도가 향상되며, 향상된 단차 피복성을 나타내는 하프늄 산화막 형성용 전구체, 상기 전구체를 이용한 하프늄 산화막의 형성방법 및 상기 형성방법에 따라 얻어진 하프늄 산화막을 채용한 커패시터와 트랜지스터 및 이들을 구비한 전자소자에 관한 것이다.

대표청구항

HFCL4와 질소화합물이 결합된 화합물을 유기용매에 희석하여 액상의 전구체를 형성하는 단계;기판을 반응기 내로 로딩한 후, 상기 액상의 전구체를 기화기를　통하여　반응기로 공급하여 기판 표면에 흡착시키는 단계; 불활성 기체를 사용하여 상기 반응기를 퍼징하는 단계;상기 반응기에 산화제를 공급하여 상기 기판 표면에 흡착된 결과물을 산화시킴으로써 상기 기판 상에 원자층을 증착시키는 단계; 및불활성 기체를 사용하여 상기 반응기를 퍼징하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 하프늄 산화막의 형성방법.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (3)

[미국] Methods of using atomic layer deposition to deposit a high dielectric constant material on a substrate | Yoshi Ono, Wei-Wei Zhuang, Rajendra Solanki
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[한국] 다성분 금속 함유 재료 증착용 액상 전구체 혼합물 | 센자키요시히데, 로버츠데이비드알렌, 노만존안토니토마스, 호크버그아서켄네쓰
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[한국] 반도체 소자 제조방법 | 박대규, 조흥재
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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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